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C3205Y 发布时间 时间:2025/9/11 14:19:43 查看 阅读:35

C3205Y是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道功率MOSFET晶体管,主要用于电源管理和开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流处理能力,适用于多种高效率电源转换系统。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):900V
  栅源电压(Vgs):±30V
  漏极电流(Id):11A(连续)
  功耗(Pd):150W
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  导通电阻(Rds(on)):最大0.68Ω
  封装形式:TO-220

特性

C3205Y具有优异的导通性能和开关特性,能够有效降低开关损耗并提高系统效率。其高耐压能力使其适用于高电压应用环境,同时具备良好的热稳定性和可靠性。该MOSFET采用了先进的制造工艺,确保在高负载条件下仍能保持稳定工作。
  此外,C3205Y的封装形式为TO-220,便于安装和散热管理,适合高功率密度设计。其栅极驱动电压范围较宽,支持多种控制电路的兼容性。器件还具备较高的抗静电能力和过热保护特性,进一步增强了其在工业环境中的可靠性。
  由于其优异的电气特性和热管理能力,C3205Y广泛应用于电源适配器、DC-DC转换器、电机控制、照明系统以及工业自动化设备中。

应用

C3205Y主要应用于需要高电压和高电流处理能力的电源管理系统中。典型应用包括AC-DC电源、开关电源(SMPS)、逆变器、电池充电器、LED照明驱动器以及工业电机控制电路。该器件也可用于高电压负载开关和功率因数校正(PFC)电路中,提供高效、稳定的功率控制解决方案。

替代型号

TK11A50D, 2SK2142, IRF840, FQA11N90C

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