C3199GR 时间：2025/9/12 14:33:59 阅读：14

C3199GR 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、开关电源、DC-DC转换器和电机控制等领域。该器件采用了先进的平面条形技术，具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的热稳定性。C3199GR采用TO-220AB封装形式，适合需要高效率和高可靠性的应用场合。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压(Vds)：60V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：50A（Tc=25℃）
　　漏源导通电阻(Rds(on))：22mΩ（最大值）
　　功耗(Pd)：125W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220AB

特性

C3199GR具有多个关键特性，使其在功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件的高电流能力（50A）和良好的热性能使其适用于高负载条件下的工作环境。此外，C3199GR具备良好的栅极电荷特性，有助于减少开关损耗，提高开关频率下的性能。其TO-220AB封装形式具备良好的散热能力和机械稳定性，适用于各种工业级应用。在高频开关应用中，C3199GR能够提供稳定的性能，减少开关噪声和电磁干扰（EMI）。此外，它具备良好的短路耐受能力，能够在极端条件下保护电路系统不受损坏。

应用

C3199GR广泛应用于多种电力电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电机驱动器、电池充电器、负载开关、功率放大器和工业自动化设备等。其高效率、高可靠性和良好的热稳定性使其成为高功率密度设计的理想选择。在汽车电子系统中，该器件也可用于车载电源转换器、电动工具和电池管理系统（BMS）等应用。此外，C3199GR适用于需要高效率和低损耗的太阳能逆变器和UPS（不间断电源）系统。