类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：10A（@Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：50A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤0.65Ω
　　功率耗散（Ptot）：50W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220

C3198-Y MOSFET采用了先进的沟槽结构技术，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。该器件具备较高的击穿电压（600V），适用于高电压应用场景，如开关电源、适配器和电机控制电路。其高栅极绝缘能力（±30V）增强了在高频开关环境中的稳定性与可靠性。
　　此外，C3198-Y具有良好的热管理性能，能够承受较高的工作温度，适用于紧凑型电源设计。其TO-220封装形式便于安装与散热管理，适用于工业控制、消费类电子产品及照明设备等多种应用场景。
　　该MOSFET还具备较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），有助于提高开关速度，降低开关损耗，从而实现更高的电源转换效率。其短路耐受能力和抗雪崩能力也使其在复杂工作环境中具备更高的稳定性。

C3198-Y广泛应用于各类功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、DC-DC转换器、LED照明驱动电路、电机控制模块以及工业自动化控制系统等。其高耐压特性也使其适用于变频器、UPS不间断电源和小型家电控制电路等场合。由于其良好的开关性能和散热能力，C3198-Y在高效率、高频率工作的电源系统中表现出色。

TK10A60D, 2SK3198, FQP10N60C