C3195 时间：2025/9/12 22:35:05 阅读：4

C3195是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高效率电源管理应用。该晶体管采用先进的沟槽式技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和快速的开关特性，适用于DC-DC转换器、电池管理系统、电机控制及负载开关等应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：200A（在25℃）
　　功耗（Pd）：200W
　　导通电阻（Rds(on)）：≤2.5mΩ（最大值）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：TO-247、TO-263（D2PAK）等

特性

C3195具备优异的导通性能和开关特性，其低Rds(on)特性可显著降低导通损耗，提高系统效率。
　　该器件采用高耐压设计，Vds额定电压可达60V，适用于中高功率应用。
　　内置快速恢复体二极管，有助于提升在反向电流环境下的可靠性。
　　由于其高栅极电荷（Qg）特性，C3195在高频开关应用中表现良好，适用于高频DC-DC转换器设计。
　　该MOSFET具有良好的热稳定性，可在高温环境下稳定运行，适用于工业级和汽车电子系统。
　　此外，C3195的封装形式多样，包括TO-247和TO-263，便于在不同电路板布局中使用。

应用

C3195广泛应用于各种电源管理系统中，包括但不限于以下领域：
　　在DC-DC转换器中，作为主开关器件，实现高效能量转换；
　　在电池管理系统中，用于控制充放电回路，确保电池安全运行；
　　在电机控制电路中，作为H桥结构中的功率开关，控制电机的启停和方向；
　　在负载开关电路中，实现对大功率负载的快速接通与断开；
　　在UPS（不间断电源）、服务器电源、通信电源等高可靠性系统中，提供稳定的功率控制；
　　此外，C3195也可用于逆变器、功率放大器和工业自动化控制系统中。