C30950EH是一款由Excelitas Technologies公司制造的高性能雪崩光电二极管(Avalanche Photodiode, APD),专为近红外波段的高灵敏度光检测应用设计。该器件采用硅基材料,具有较高的量子效率和较低的暗电流,适用于需要高灵敏度和快速响应的光通信、激光雷达、光时域反射仪(OTDR)以及医疗成像等应用场景。C30950EH采用TO-46金属封装,具备良好的机械稳定性和热稳定性,适合工业和科研领域的广泛应用。
类型:雪崩光电二极管(APD)
材料:硅(Si)
波长范围:400 - 1100 nm
响应率(Typ @ 905 nm):50 A/W
工作电压(Typ):150 V
暗电流(Max @ 25°C):100 nA
电容(Typ @ VR=150 V):15 pF
响应时间(Typ):3 ns
封装类型:TO-46
窗口类型:无窗口
有效探测面积:直径0.5 mm
C30950EH是一款专为高灵敏度和高速光检测设计的雪崩光电二极管。其核心优势在于其在近红外波段(尤其是905 nm波长附近)具有极高的响应率(典型值50 A/W),能够实现微弱光信号的高效检测。器件在工作电压下(典型150 V)具有良好的增益特性,能够在不显著增加噪声的前提下放大光生电流,从而提高检测系统的信噪比。
该APD的暗电流极低(最大100 nA),有助于降低在无光照条件下的背景噪声,提高系统的稳定性与测量精度。同时,其低电容特性(典型15 pF)结合快速响应时间(典型3 ns),使得C30950EH在高速光通信和脉冲激光测距等应用中表现出色,能够准确捕捉快速变化的光信号。
采用TO-46金属封装,不仅提供了良好的机械强度和热稳定性,也便于与光学系统集成。该封装没有内置窗口,减少了光信号在封装内的反射和吸收,提升了光的传输效率,适用于对光损耗要求严格的精密检测系统。
此外,C30950EH适用于宽温度范围,具有良好的环境适应性,可在工业级温度范围内稳定工作,适用于户外设备和恶劣环境下的应用。该器件还具有较长的使用寿命和高可靠性,适合用于要求长期稳定运行的高端光学检测设备。
C30950EH广泛应用于需要高灵敏度和高速光检测的多种领域。例如,在光通信系统中,它可用于接收微弱的光信号并将其转换为电信号,特别适用于长距离光纤通信和自由空间光通信。
在激光雷达(LiDAR)系统中,该APD用于探测激光脉冲的回波信号,具有快速响应和高增益特性,能够显著提高探测距离和精度,广泛应用于自动驾驶、地形测绘和大气监测等领域。
在光时域反射仪(OTDR)中,C30950EH用于分析光纤链路中的背向散射信号,其高灵敏度有助于检测微弱的反射信号,从而实现对光纤故障点的精确定位。
此外,该器件在医疗成像设备(如正电子发射断层扫描PET)中也可用于光子计数检测,其低噪声和高响应速度特性使其成为高精度成像系统的重要组成部分。
其他应用还包括光谱分析仪、光学测量仪器、安防监控系统中的红外探测模块等。
C30823E, C30793S, C30643S