C2M0160120D 时间：2025/9/11 8:23:25 阅读：7

C2M0160120D 是由 Wolfspeed（原 Cree Micro Devices）生产的一款 SiC（碳化硅）功率 MOSFET，专为高效率、高频率和高温环境下的功率转换应用而设计。该器件采用了先进的碳化硅技术，具备低导通电阻、低开关损耗以及优异的热性能，适用于电动汽车（EV）、充电桩、太阳能逆变器、工业电源和储能系统等高要求的电力电子应用。C2M0160120D 采用 TO-247 封装形式，便于安装和散热。

参数

类型：SiC MOSFET
　　漏源电压(Vds)：1200V
　　连续漏极电流(Id)：16A
　　导通电阻(Rds(on))：80mΩ
　　栅极电荷(Qg)：56nC
　　输入电容(Ciss)：1900pF
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TO-247

特性

C2M0160120D 具备多项先进特性，使其在高性能功率转换应用中表现出色。首先，其碳化硅材料具有宽禁带特性，使器件在高温和高电压环境下仍能保持稳定工作。相比传统硅基 MOSFET，C2M0160120D 在导通和开关损耗方面有显著降低，提高了系统效率。此外，该器件具有极低的导通电阻（Rds(on)），典型值为 80mΩ，有助于减少导通损耗，提高功率密度。C2M0160120D 的栅极电荷（Qg）较低，仅为 56nC，从而实现更快的开关速度，适用于高频应用。输入电容（Ciss）为 1900pF，降低了高频工作时的驱动损耗。TO-247 封装设计确保了良好的散热性能和机械稳定性，适用于工业级和汽车级应用环境。该器件还具有良好的短路耐受能力，增强了系统的可靠性和安全性。

应用

C2M0160120D 广泛应用于高效率功率转换系统，如电动汽车的车载充电器（OBC）、DC-DC 转换器、充电桩电源模块、太阳能逆变器、风能变流器、储能系统（ESS）以及工业电源设备。其优异的导热性能和高频开关能力也使其成为高频开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和电机驱动器的理想选择。由于其具备高耐压和低损耗特性，C2M0160120D 特别适合用于需要高可靠性和高效能的新能源和绿色能源系统。