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C2D20120D 发布时间 时间:2025/12/28 16:21:26 查看 阅读:14

C2D20120D 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)推出的碳化硅(SiC)肖特基二极管,广泛应用于高效率、高频率的功率转换系统中。该器件采用先进的碳化硅技术,具备优异的导热性能和耐高温能力,适合用于电力电子设备中。

参数

类型:碳化硅肖特基二极管
  最大重复峰值反向电压:1200V
  最大平均正向电流:20A
  工作温度范围:-55°C 至 175°C
  封装类型:TO-247

特性

C2D20120D 碳化硅肖特基二极管具备多项优异特性,使其在高功率应用中表现卓越。首先,其反向电压额定值高达 1200V,能够满足大多数高电压应用的需求。同时,该器件的平均正向电流可达 20A,确保在高电流条件下稳定运行。
  与传统硅基二极管相比,C2D20120D 具有更低的正向压降和更小的反向恢复电荷(Qrr),显著减少了开关损耗并提高了系统效率。由于碳化硅材料的宽禁带特性,该器件具备更高的热稳定性和更强的耐高温能力,能够在恶劣的高温环境下长时间运行而不影响性能。
  此外,C2D20120D 的封装采用标准的 TO-247 形式,便于在各种电路板上安装和散热管理。该封装设计也有助于提高器件的机械稳定性和长期可靠性,从而延长设备的使用寿命。

应用

C2D20120D 主要用于需要高效率、高频率和高可靠性的功率电子系统中。常见应用包括电动汽车(EV)充电设备、可再生能源系统(如太阳能逆变器和风能转换系统)、工业电源、UPS(不间断电源)、高频开关电源以及电机驱动系统等。在这些应用中,该器件能够有效提升系统效率、降低能量损耗并减少散热需求。

替代型号

C2D20120D-W, C2D20120F

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C2D20120D参数

  • 产品培训模块SiC Diodes in Inverter ModulesSiC Schottky Diodes
  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭二极管,整流器 - 阵列
  • 系列Zero Recovery™
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.8V @ 10A
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电200µA @ 1200V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管)22A
  • 电压 - (Vr)(最大)1200V(1.2kV)
  • 反向恢复时间(trr)0ns
  • 二极管类型碳化硅肖特基
  • 速度无恢复时间 > 500mA(Io)
  • 二极管配置1 对共阴极
  • 安装类型通孔,径向
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247-3
  • 包装管件