时间：2025/9/11 8:16:29
阅读：10
C2D10120D 是一款由Cree（现为Wolfspeed）生产的碳化硅（SiC）双极型晶体管，专为高功率、高频应用而设计。该器件采用了先进的碳化硅半导体技术，具备优异的导热性能和高温稳定性，适用于电力电子转换系统中的关键功率放大与开关元件。该晶体管采用TO-247封装，便于散热和集成到各种工业和通信设备中。
类型：NPN型SiC双极晶体管
最大集电极-发射极电压（VCEO）：1200V
最大集电极电流（IC）：10A（连续）
最大功耗（PD）：300W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-247
电流增益（hFE）：典型值为20至70
过渡频率（fT）：典型值为80MHz
集电极-基极击穿电压（VCBO）：1800V
C2D10120D 的碳化硅材料使其具备优异的高温工作能力和高击穿电压耐受性。其高热导率可有效降低热阻，提高器件在高功率密度下的稳定性与可靠性。此外，该晶体管具有较低的饱和压降和快速的开关特性，适用于高频开关电源、功率放大器及工业加热系统等应用场景。器件结构设计优化了载流子寿命，提高了导通效率，同时减少了开关损耗。其高耐用性和稳定性使其在恶劣环境下仍能保持良好性能。
C2D10120D 主要应用于高功率放大器、射频加热系统、高频逆变器、工业电源、电动汽车充电设备以及可再生能源系统中的功率转换模块。由于其优异的高温稳定性和高频率响应，特别适合需要高可靠性和高效率的高端电力电子设备。
C2D10120A，C2M10120D，C2M10120A，CMF20120D
