时间：2025/8/17 12:26:20
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C2652 是一款常用的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、功率放大器、开关电源、电机驱动以及各种高频率功率转换电路中。该器件具有较低的导通电阻、较高的耐压能力和良好的热稳定性，使其在高效率电源设计中具有较高的性价比。C2652 通常采用 TO-220 或 TO-252（DPAK）等封装形式，便于散热和安装。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
漏极电流(Id)：连续30A
导通电阻(Rds(on))：最大40mΩ
功率耗散(Pd)：150W
工作温度范围：-55℃至150℃
封装形式：TO-220、TO-252
C2652 MOSFET 具备多项优异的电气和热性能，适用于多种高功率应用场景。其主要特性包括低导通电阻（Rds(on) 最大为40mΩ），这有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。同时，该器件具有较高的耐压能力，漏源电压（Vds）为60V，能够承受较高的电压应力，适用于中高压功率转换应用。
此外，C2652 的连续漏极电流可达30A，使其能够驱动较大的负载，如电机、继电器和高亮度LED模组。其最大功率耗散为150W，配合良好的散热设计，可在高负载条件下稳定运行。
该MOSFET采用TO-220或TO-252封装形式，具备良好的散热性能，便于在PCB上安装和使用。其工作温度范围宽达-55℃至+150℃，适用于各种工业和汽车电子应用环境。
在栅极驱动方面，C2652 支持±20V的栅源电压，具有较强的抗过压能力，降低了栅极驱动电路设计的复杂性。同时，其快速开关特性适用于高频开关电路，如DC-DC转换器、同步整流器和PWM控制电路。
总体而言，C2652 是一款性能稳定、性价比高的功率MOSFET，适用于多种中高压、大电流的电源管理和功率控制应用。
C2652 MOSFET 主要应用于以下领域：电源管理系统、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、马达驱动器、逆变器、LED驱动电路、电池管理系统、工业自动化设备、汽车电子（如车载充电器和电动工具）以及各类高功率脉宽调制（PWM）控制器中。
IRFZ44N, FQP30N06L, STP30NF06L, IRLZ44N
