类型：晶体振荡器（XO）
　　封装类型：SMD, 2.5x2.0mm
　　标称频率：156.25MHz
　　频率稳定性：±20ppm（最大）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　供电电压：3.3V ±10%
　　输出逻辑：CMOS
　　上升/下降时间：≤5ns（典型）
　　相位抖动（12kHz～20MHz）：≤1.0ps RMS
　　老化率：±3ppm/年（最大）
　　负载电容：15pF（内部集成）
　　启动时间：≤5ms（典型）
　　功耗：≤60mW（典型）
　　输出使能：支持OE功能（可选）

C2520C-R15J具备卓越的频率精度与长期稳定性，是高性能定时应用的理想选择。其核心基于AT切型石英晶体，具有高Q值和优良的温度响应特性，能够在不同环境条件下保持极小的频率偏移。该器件采用真空密封陶瓷或金属屏蔽封装，有效防止外部湿度、灰尘和电磁干扰对晶体单元的影响，从而提升可靠性与抗扰能力。内部集成的缓冲放大器经过优化设计，可提供干净且对称的方波输出，满足高速数字系统对时钟边沿陡峭度的要求。其低相位噪声表现尤为突出，在10kHz频偏处的单边带相位噪声可达-150dBc/Hz以下，适用于高灵敏度通信系统和精密测量设备。此外，C2520C-R15J支持快速启动，在上电后数毫秒内即可进入稳定振荡状态，适合需要频繁启停的应用场景。通过严格的制造流程控制和老化筛选，产品具备出色的批次一致性，便于大规模自动化贴片生产。器件符合RoHS环保标准，并通过AEC-Q200等可靠性认证（视具体版本而定），适用于汽车电子等严苛应用领域。其CMOS输出结构具有较强的驱动能力，能够同时驱动多个逻辑输入端而不显著劣化信号质量。整体设计兼顾了小型化、低功耗与高性能，使其成为替代传统插件式晶振的理想升级方案。
　　在EMI（电磁干扰）控制方面，C2520C-R15J通过优化PCB布局和内部走线设计，降低了高频辐射风险，有助于系统通过EMC认证。同时，其宽工作电压适应性使得在电源波动较大的环境中仍能保持稳定输出。对于需要更高安全性的应用，部分版本支持待机模式或输出禁用功能，可通过OE引脚实现功耗管理。这种灵活性不仅提升了能效，也增强了系统的可控性。总之，C2520C-R15J凭借其紧凑尺寸、高精度、低抖动和强环境适应性，成为现代电子系统中不可或缺的关键元件之一。

C2520C-R15J广泛用于各类需要高稳定时钟源的电子系统中。典型应用场景包括千兆以太网、光纤通信模块、同步数字体系（SDH）设备、路由器与交换机中的PHY芯片时钟供给。在数据中心和服务器主板上，它常作为PCIe时钟源或DDR内存控制器的参考时钟，保障高速信号传输的同步性与完整性。此外，该振荡器也被用于无线基站、微波回传设备和5G前传网络中的频率合成与锁相环（PLL）参考。在工业自动化领域，可用于PLC控制器、工业交换机和现场总线通信模块，确保实时控制指令的准确执行。消费类电子如高端智能电视、机顶盒和AV接收器中，C2520C-R15J可为音视频编解码器提供精准时基，避免画面撕裂或音频失真。测试与测量仪器如示波器、频谱分析仪和信号发生器依赖其低相位噪声特性来保证测量精度。汽车电子中的ADAS系统、车载信息娱乐主机和T-Box模块也可能采用此类高性能振荡器以满足功能安全与时钟冗余需求。另外，在医疗成像设备和便携式诊断仪器中，精确的时间基准对于数据采集同步至关重要，C2520C-R15J亦能胜任此类任务。

NXC2520SB-156.25M-E1
　　SiT9121AI-156.25MBAG-C