类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：15A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.35Ω（最大）
　　功耗（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220AB

C2174PX8-C具有多项优异的电气和热性能，适用于高功率和高频应用。其主要特性包括：
　　1. 高耐压能力：漏源电压（Vds）可达500V，使其适用于高电压环境，如开关电源和逆变器电路。
　　2. 低导通电阻：Rds(on)最大为0.35Ω，降低了导通损耗，提高了能效。
　　3. 高电流处理能力：连续漏极电流可达15A，适合大功率负载的控制。
　　4. 高可靠性：采用先进的硅技术制造，确保在高温环境下依然稳定运行。
　　5. 热稳定性好：封装设计优化了散热性能，有助于提高器件在高功率应用中的稳定性。
　　6. 宽工作温度范围：支持-55°C至+150°C的工作温度，适应性强，适用于各种工业环境。
　　7. 快速开关特性：具备较低的栅极电荷（Qg），有助于提高开关速度，减少开关损耗。
　　8. 适用于高频应用：由于其快速开关特性和低寄生电容，C2174PX8-C非常适合用于高频电源转换器和音频放大器。

C2174PX8-C广泛应用于多个领域，主要包括：
　　1. 音频功率放大器：由于其高电流能力和低导通电阻，适合用于高保真音频放大器中的输出级。
　　2. 开关电源（SMPS）：适用于AC-DC和DC-DC转换器，提供高效的功率转换。
　　3. 电机控制和驱动器：用于PWM控制的电机驱动系统，提供稳定的功率输出。
　　4. 逆变器和UPS系统：作为功率开关元件，适用于不间断电源和逆变器设计。
　　5. 工业自动化设备：用于工业控制系统中的高功率开关和负载管理。
　　6. LED照明驱动：适用于大功率LED照明的恒流或恒压驱动电路。
　　7. 电池管理系统：用于电池充放电控制电路，确保系统的安全性和效率。

C2174, C2174PA8, 2SK1318, 2SK1530