C20713 时间：2025/12/27 17:17:45 阅读：18

C20713是一款由Central Semiconductor Corp生产的NPN双极结型晶体管（BJT），广泛应用于放大和开关电路中。该器件采用SOT-23小型表面贴装封装，适合在空间受限的高密度印刷电路板设计中使用。C20713的设计注重高性能与可靠性，具备优良的直流电流增益（hFE）稳定性以及快速的开关响应能力，适用于便携式电子设备、电源管理模块、信号切换和低功率驱动等应用场景。该晶体管符合RoHS环保标准，并具有无铅（Pb-free）的绿色封装工艺，满足现代电子产品对环境友好材料的需求。其结构基于成熟的硅外延工艺制造，确保了器件在各种工作条件下的电气性能一致性与长期可靠性。此外，C20713还具备良好的热稳定性和抗干扰能力，在宽温度范围内可保持稳定的运行特性，是中小信号处理应用中的理想选择之一。

参数

类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极电压（VCBO）：60V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（Pd）：300mW
　　直流电流增益（hFE）：100 - 400
　　过渡频率（fT）：150MHz
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：SOT-23

特性

C20713晶体管具备优异的高频响应能力，其典型的过渡频率（fT）达到150MHz，使其非常适合用于高频小信号放大电路，如射频前端模块、音频前置放大器以及高速数字开关系统。该器件在低至中等电流负载下表现出稳定的电流增益特性，hFE值在100至400之间，且随温度变化较小，保证了电路工作的线性度与一致性。
　　其SOT-23封装不仅体积小巧，便于自动化贴片生产，而且具有良好的热传导性能，能够在有限的空间内有效散热，提升整体系统的可靠性。该封装还降低了寄生电感和电容的影响，有助于提高高频应用中的信号完整性。
　　C20713的击穿电压指标适中，VCEO为50V，能够兼容大多数低压直流供电系统，例如3.3V、5V或12V逻辑电路，适用于微控制器驱动、LED控制、继电器驱动等常见应用场景。同时，其最大集电极电流为100mA，足以驱动多数中小功率负载。
　　该晶体管具有较低的饱和压降（VCE(sat)），通常在150mV左右（IC = 10mA, IB = 1mA条件下），这有助于减少导通损耗，提升能效，特别适用于电池供电设备以延长续航时间。此外，其快速的开关速度使得它能在脉冲宽度调制（PWM）控制、数字逻辑接口等需要频繁通断的场合中高效运行。
　　由于采用无铅环保封装和符合RoHS标准的制造工艺，C20713适用于出口型电子产品及对环保要求严格的工业与消费类设备。其宽工作结温范围（-55℃ ~ +150℃）也使其可在恶劣环境条件下稳定工作，包括汽车电子、工业控制等领域。

应用

C20713常用于各类中小功率模拟与数字电路中，典型应用包括音频信号放大、射频信号处理、DC-DC转换器中的开关控制、LED驱动电路、传感器信号调理以及微处理器I/O端口的电平转换与驱动。在便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机中，该晶体管可用于电源管理单元中的负载开关或背光调节模块。此外，在工业自动化系统中，它可用于光电耦合器的驱动级、继电器或蜂鸣器的控制接口，实现低电压逻辑信号对较高电压负载的有效隔离与控制。其高频特性和小型化封装也使其成为无线通信模块、无线传感器网络节点和物联网设备中理想的有源元件之一。