时间：2025/6/16 16:56:30
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C2060-R(FE)是一种高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于开关电源、电机驱动和负载开关等领域。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够在高频条件下提供高效的功率转换。
型号：C2060-R(FE)
封装形式：TO-220
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：20A
导通电阻(Rds(on))：4mΩ
总功耗(Ptot)：150W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
C2060-R(FE)具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，能够减少传导损耗，提升系统效率。
2. 高速开关能力，支持高频应用，减少磁性元件体积。
3. 强大的抗雪崩能力，提高了在恶劣条件下的可靠性。
4. 内置ESD保护功能，增强了器件的静电防护性能。
5. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
6. 稳定的工作性能，能够在极端温度范围内保持高效运行。
C2060-R(FE)广泛适用于各种电力电子领域：
1. 开关电源(SMPS)，如适配器、充电器等。
2. DC-DC转换器，用于汽车电子和工业控制。
3. 电机驱动，包括无刷直流电机(BLDC)和步进电机控制。
4. 负载开关，在服务器和通信设备中作为功率管理元件。
5. LED驱动器，为高亮度LED照明提供稳定电流输出。
C2060-N(FE), IRFZ44N, FDP18N60
