时间：2025/12/28 16:04:27
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C2025D是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换电路中。这款MOSFET具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，适用于需要高效能和高可靠性的电子系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
漏极电流（Id）：16A
导通电阻（Rds(on)）：0.25Ω
封装类型：TO-220
工作温度范围：-55°C至150°C
栅极阈值电压：2V至4V
最大功耗：50W
C2025D作为一款高性能的功率MOSFET，具有多项显著特性。其高耐压能力（600V）使其适用于高压电路环境，确保在恶劣条件下的稳定运行。该器件的低导通电阻（0.25Ω）有助于减少导通损耗，提高系统效率，同时降低热量生成，延长设备寿命。
此外，C2025D采用TO-220封装，具有良好的散热性能，能够在高电流条件下保持稳定。其栅极阈值电压范围适中（2V至4V），便于驱动电路设计，确保快速、可靠地导通和关断。器件的热稳定性优异，能够在高温环境下正常工作，增强了系统的可靠性和耐用性。
由于其优异的电气和机械特性，C2025D在电源转换、电机控制、照明系统和工业自动化等领域得到了广泛应用。其高可靠性和高效率特性也使其成为许多高要求应用中的理想选择。
C2025D广泛应用于各类电力电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器、电机驱动器、照明控制系统以及工业自动化设备。在这些应用中，C2025D能够提供高效的功率转换和稳定的性能，满足对高可靠性和高效率的需求。
STP16NF60FD, FQA16N60C, IRFBC30
