尺寸代码（公制/英制）：2012 / 0805
　　电容值：100nF (104)
　　容差：±10%
　　额定电压：50V DC
　　介电材料：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　电容温度特性：±15%
　　端电极结构：Ni/Sn（镍阻挡层/锡覆盖）
　　焊接方式：表面贴装（SMD）
　　安装类型：回流焊兼容
　　符合标准：RoHS、AEC-Q200（部分系列）
　　绝缘电阻：≥4000MΩ 或 ≥100S（时间常数）
　　耐湿性：符合IEC 60068-2-30标准
　　等效串联电阻（ESR）：低（典型值在数十毫欧至数百毫欧之间，具体取决于频率）
　　自谐振频率（SRF）：通常在几十MHz量级（与PCB布局相关）

X7R是一种稳定的铁电介质材料，具有适中的介电常数和良好的温度稳定性，是多层陶瓷电容器中应用最广泛的类型之一。C2012X7R1H104KT所采用的X7R介电体系能够在-55°C到+125°C的宽温度范围内保持电容值变化不超过±15%，这使得它非常适合用于需要在恶劣环境温度下稳定工作的电子系统。相比Y5V或Z5U等高K但温度特性差的材料，X7R在温度漂移方面的表现明显更优，虽然其介电常数低于这些材料，但在可靠性和长期稳定性方面更具优势。该电容器的结构采用先进的叠层工艺，内部由多个陶瓷介质层与内电极交替堆叠而成，形成一个高度集成的微型储能元件。这种设计不仅提高了单位体积的电容密度，还显著降低了等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR），从而增强了高频去耦能力和瞬态响应性能。
　　由于其2012（0805）封装尺寸兼顾了小型化与焊接可靠性，C2012X7R1H104KT在自动贴片生产线上表现出优异的可制造性。其端电极采用镍阻挡层加锡覆盖的设计，有效防止了银迁移现象，并提升了抗硫化能力，延长了产品在高湿度或污染环境下的使用寿命。此外，该器件经过严格的可靠性测试，包括高温高湿偏压试验（THB）、温度循环、机械冲击和振动测试，确保在各种严苛条件下仍能维持电气性能稳定。对于电源系统的输入输出滤波应用而言，该电容能够有效抑制电压纹波和噪声干扰，提升整个系统的电磁兼容性（EMC）。同时，其非极性特性使其适用于交流信号耦合和直流隔离场合，无需考虑极性接反问题，简化了电路设计流程。

C2012X7R1H104KT广泛应用于多种电子设备和电路模块中，尤其适用于对温度稳定性和长期可靠性有较高要求的应用场景。在电源管理系统中，该电容器常被用作DC-DC转换器的输入和输出端滤波元件，用于平滑开关噪声并稳定供电电压。其低ESR特性有助于减少功率损耗，提高电源效率。在微控制器、数字信号处理器（DSP）和现场可编程门阵列（FPGA）等高速数字IC的电源引脚附近，该电容可作为去耦电容使用，快速响应瞬态电流变化，防止因电源波动引起的逻辑错误或系统复位。
　　在工业控制设备中，如PLC、传感器接口模块和电机驱动器中，C2012X7R1H104KT可用于滤除电源线上的共模和差模干扰，增强系统的抗干扰能力。消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能电视和无线路由器也大量使用此类电容进行电源轨解耦和信号路径滤波。此外，在汽车电子领域，尽管该型号可能未通过AEC-Q200认证全系列验证，但同规格的车规级版本常用于车载信息娱乐系统、车身控制模块和辅助驾驶系统的电源滤波电路中。
　　模拟电路中，该电容可用于音频信号耦合、ADC/DAC参考电压旁路以及运算放大器的反馈网络补偿。其稳定的电容特性和较低的介质吸收率有助于保持信号完整性。在射频电路中，虽然不作为主要谐振元件，但仍可用于偏置电路的隔直通交功能或局部电源稳压。总体而言，C2012X7R1H104KT凭借其优良的综合性能和成熟的技术平台，成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。

GRM21BR71H104KA01D
　　CL21A104KAQNNNE
　　C2012X7R1H104K