尺寸：2.0mm x 1.25mm (EIA 2012/0805)
　　电容值：4.7μF
　　容差：±10%
　　额定电压：10V DC
　　介电材料：X5R
　　温度范围：-55°C 至 +85°C
　　电容温度特性：±15%
　　直流偏压特性：随电压增加电容略有下降
　　绝缘电阻：≥1000MΩ 或 时间常数 ≥100S
　　工作温度范围：-55°C ~ +85°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +125°C
　　耐久性：在额定电压和+85°C下连续工作1000小时后，电容变化符合规范

C2012X5R1A475KT采用X5R型铁电陶瓷介质，这种材料属于II类介电质，能够在较小的物理尺寸内实现较大的电容值，非常适合现代高集成度电子系统的需求。其核心优势在于在较宽的温度范围内保持相对稳定的电容性能——具体而言，在-55°C到+85°C之间，电容的变化率被控制在±15%以内，这使得它在大多数非精密模拟和数字电源应用中表现良好。尽管其电容会随着施加的直流偏置电压升高而有所下降（这是铁电材料的固有特性），但在典型的工作电压如3.3V或5V下，实际可用电容仍能维持在标称值的70%-80%左右，满足多数去耦需求。此外，该电容器具有极低的等效串联电阻（ESR），使其在高频噪声滤除方面表现出色，能够有效抑制开关电源引起的电压波动，提升系统稳定性。
　　机械结构上，C2012X5R1A475KT采用多层共烧陶瓷技术，内部由数十甚至上百层陶瓷薄片与金属内电极交替堆叠而成，通过端电极连接外部电路。这种结构不仅提高了单位体积的电容量密度，还大幅降低了寄生电感（ESL），从而扩展了有效滤波频率范围。同时，该器件具备良好的抗热震性能，可适应快速温度变化环境，并且在贴装过程中不易因机械应力导致裂纹。其端子采用三层电极结构（铜镍锡），增强了焊接可靠性和长期耐腐蚀能力，适用于自动化SMT生产线。
　　从可靠性角度看，该型号通过了AEC-Q200等工业级认证（视具体批次而定），具备优异的寿命稳定性，在额定条件下可连续运行超过十年。此外，作为无极性元件，它在使用时无需考虑正负极方向，避免了装配错误的风险。整体来看，C2012X5R1A475KT是一款性价比高、通用性强的表面贴装电容，广泛服务于移动通信设备、智能家居产品、医疗仪器及汽车电子等领域。

该电容器主要用于各类电子电路中的电源去耦与旁路应用，特别是在微处理器、FPGA、ASIC和DSP等高速数字芯片的供电引脚附近，用于吸收瞬态电流尖峰并稳定电源电压。其4.7μF的较大电容值结合低ESR特性，使其能够有效滤除中高频段的电源噪声，防止因电源波动引发的逻辑错误或系统复位。在DC-DC转换器输出端，该器件常与其他小容量电容配合组成复合滤波网络，以覆盖更宽的频率响应范围，提升电源纹波抑制能力。此外，它也适用于信号耦合、交流旁路以及局部储能功能，例如在电池供电设备中为突发工作模式提供瞬时能量支持。
　　在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、无线路由器和可穿戴设备中，C2012X5R1A475KT因其小型化和高性能特点成为首选去耦方案之一。在工业控制系统中，它可用于PLC模块、传感器接口和人机界面单元中，保障控制信号的稳定传输。此外，在汽车电子领域，虽然该型号并非专为车规设计（需确认是否为 Automotive Grade），但在部分非关键车载应用如信息娱乐系统、车内照明驱动或辅助电源模块中也有使用。由于其符合RoHS指令且支持无铅回流焊工艺，适用于全球主流环保生产流程。总体而言，只要工作条件在其电气和环境规格范围内，该器件能在多种复杂电磁环境中提供可靠的电容支持。

C2012X5R1A475K125AB
　　GRM21BR61A475KE19L
　　C2012X5R1A475K125AC