C2012C0G1H222JT0H0N 是一种多层陶瓷电容器 (MLCC),属于 C 系列,适用于高频应用。该型号采用了 X7R 介质材料,具有高稳定性和可靠性,能够满足多种电子电路设计需求,尤其是在需要良好温度特性和高容值稳定性的情况下。
这种电容器的封装尺寸为 2012(公制),即 2.0 x 1.2 毫米,适合紧凑型设计,并且其端电极为镀锡材料,可确保良好的焊接性能和长期连接可靠性。
封装尺寸:2012
容量:22pF
额定电压:50V
介质材料:X7R
耐纹波电流能力:高
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
绝缘电阻:大于 10,000MΩ
ESR(等效串联电阻):低
C2012C0G1H222JT0H0N 的主要特点是其高稳定性和低损耗特性。它使用了 X7R 介质材料,能够在宽温度范围内提供稳定的电容值,变化率不超过 ±15%。此外,该型号还具备出色的频率响应特性,在高频条件下表现出较低的阻抗,非常适合用于滤波、耦合以及去耦等场景。
另外,由于其小巧的尺寸和高可靠性,这种 MLCC 在消费类电子产品、通信设备以及汽车电子系统中均得到了广泛应用。在制造过程中,通过严格的质量控制流程确保其一致性和耐用性,从而满足现代电子产品的高性能需求。
C2012C0G1H222JT0H0N 主要应用于高频电路中的滤波、耦合和旁路功能。具体应用场景包括但不限于:
- 射频模块中的信号处理
- 音频设备中的电源滤波
- 移动设备中的去耦电容
- 工业控制系统中的噪声抑制
- 汽车电子系统的稳压电路
其小型化设计和优异的电气性能使其成为许多紧凑型和高性能设计的理想选择。
C2012C0G1H222JU0G0N
C2012C0G1H222KQ0H0N
C2012C0G1H222KU0G0N