C2012C0G1H103JT000N 是一款多层陶瓷电容器 (MLCC),属于 C 系列,采用 C0G 介质材料。该电容器具有高稳定性和低温度系数特性,能够在广泛的温度范围内保持稳定的电容值,适用于对稳定性要求较高的电路设计。
这款电容器的封装尺寸为 2012(公制),即长 2.0mm × 宽 1.2mm,并采用了耐焊性镀层终端以提高焊接可靠性。
封装:2012
电容值:10nF
额定电压:50V
介质类型:C0G
温度系数:±30ppm/°C
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
耐焊性:符合标准
C2012C0G1H103JT000N 的主要特点是其使用了 C0G 介质材料,这种材料具有极高的稳定性,即使在温度、时间或电压变化的情况下,电容值的变化也非常小。此外,该型号的电容器还具备以下优势:
1. 高频率性能:由于较低的有效串联电阻 (ESR) 和有效串联电感 (ESL),它非常适合高频应用。
2. 小型化设计:2012 封装使其成为空间受限设计的理想选择。
3. 可靠性高:通过优化的制造工艺和终端处理,确保其在恶劣环境下的长期可靠性。
4. 广泛的工作温度范围:支持从 -55°C 到 +125°C 的温度区间,适应多种工业和汽车级应用场景。
该电容器适用于需要高精度和高稳定性的场景,例如:
1. 滤波电路:用于电源滤波和信号滤波,能够有效抑制噪声。
2. 耦合与去耦:在高速数字电路中提供稳定的去耦效果。
3. 定时电路:作为定时元件,在振荡器和延时电路中使用。
4. 射频 (RF) 应用:因其高频特性和低损耗,常用于射频前端模块和无线通信设备。
5. 工业控制:在自动化设备中实现信号调理和电源管理。
C1608C0G1H103J000N
C2012X7R1H103K000N
C1812C0G1H103K000N