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C2012C0G1H101JT000N 发布时间 时间:2025/7/12 8:17:40 查看 阅读:8

C2012C0G1H101JT000N 是一款由 Kemet 提供的多层陶瓷电容器 (MLCC),属于 C 系列。该型号采用 X7R 介质材料,具有良好的温度稳定性和高容量特性,适合用于各种电源滤波、去耦和信号耦合等应用场合。其封装尺寸为 2012(公制),适合表面贴装技术 (SMT) 的电路板装配。

参数

电容值:10pF
  额定电压:50V
  封装类型:2012 (公制)
  介质材料:X7R
  耐温范围:-55°C 至 +125°C
  公差:±10%
  直流偏置特性:低
  工作温度下的电容量变化:±15%

特性

C2012C0G1H101JT000N 具有高可靠性和稳定性,能够满足多种工业和消费类电子设备的需求。
  1. 温度特性优越:由于采用了 X7R 介质材料,该电容器在宽温度范围内表现出稳定的电容值,适用于对温度敏感的应用场景。
  2. 小型化设计:2012 封装使得该器件非常适合空间受限的设计,同时保持了较高的电气性能。
  3. 高频性能良好:该型号电容器在高频条件下表现出较低的等效串联电阻 (ESR),有助于减少信号损耗和提高滤波效果。
  4. 长寿命和高可靠性:通过严格的制造工艺控制,该电容器能够在恶劣环境下长期稳定运行。

应用

这款电容器广泛应用于消费电子、通信设备、工业自动化和汽车电子等领域。
  1. 电源滤波:用于平滑电源输出并降低纹波电压。
  2. 去耦电容:消除电路中的高频噪声,保护敏感电路元件。
  3. 信号耦合与解耦:在模拟和数字电路中传递信号的同时隔离直流成分。
  4. 振荡电路:作为定时元件或频率选择元件使用。
  5. 射频 (RF) 应用:支持高频通信模块中的匹配网络和滤波器设计。

替代型号

C2012C100J5GACTU, GRM21BR60J100K800

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