时间：2025/8/18 13:04:32
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C1963是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，常用于高频率开关应用。这款MOSFET具有低导通电阻和高耐压的特点，适合用于DC-DC转换器、电源管理和电机控制等场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：150A
最大漏源电压：60V
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ
最大功耗：150W
封装类型：TO-247
C1963的主要特性包括低导通电阻，可减少功率损耗并提高效率；高耐压能力，使其适用于多种高功率应用；此外，该器件的封装形式为TO-247，有助于良好的散热性能。由于其卓越的性能指标，C1963广泛应用于电源供应器、电池充电器和电机控制器等设备中。
该MOSFET还具有快速开关特性，支持高频操作，从而减少外部滤波元件的尺寸和成本。同时，其耐用性和稳定性在恶劣的工作环境下也表现出色，能够确保系统的长期可靠运行。
C1963主要应用于电力电子设备中，如高频开关电源、DC-DC转换器、UPS系统、电动工具和电动汽车的电机控制模块。此外，它也适用于工业自动化设备中的电源管理电路。
SiHF150N60E、IRFP260N
