C1947 时间：2025/12/28 4:36:00 阅读：12

C1947是日本东芝（Toshiba）公司生产的一款N沟道功率MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高效率功率控制的电子设备中。该器件采用先进的沟道MOSFET制造工艺，具有低导通电阻、快速开关响应和良好的热稳定性等优点，适用于中等功率级别的应用场合。C1947通常封装在小型化的TO-220或TO-220F等封装形式中，便于散热设计与电路板布局，适合对空间和能效有较高要求的设计场景。该MOSFET工作于增强型模式，栅极电压控制漏极与源极之间的导通状态，具备较高的输入阻抗，驱动功耗低，非常适合由逻辑电路或脉宽调制（PWM）控制器直接驱动。此外，C1947还内置了保护机制，如雪崩能量耐受能力，提升了其在瞬态负载或电感反冲环境下的可靠性。由于其出色的电气性能和稳定的工作表现，C1947在工业控制、消费电子和电源管理领域得到了广泛应用。需要注意的是，在实际使用过程中应严格遵守数据手册中的最大额定值，避免因过压、过流或过热导致器件损坏。

参数

型号：C1947
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：500V
　　最大漏极电流（Id）：7A（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.65Ω（典型值，Vgs=10V）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　功耗（Pd）：150W（Tc=25℃）
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220 / TO-220F

特性

C1947具备优异的开关特性和导通性能，其核心优势之一在于较低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V条件下典型值仅为0.65Ω，这有效降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统整体效率。这一特性使其特别适用于高频开关电源设计，例如AC-DC适配器、LED驱动电源和开关模式电源（SMPS）中作为主开关管使用。同时，该器件具有较高的击穿电压（500V），能够承受较大的漏源电压冲击，适用于市电整流后的高压侧开关应用，确保在电网波动或瞬态过压情况下仍能稳定工作。
　　另一个显著特点是其快速的开关速度。C1947的输入电容和输出电容较小，且栅极电荷（Qg）较低，这意味着在开关过程中所需的驱动能量较少，不仅减少了驱动电路的设计复杂度，也降低了开关损耗，从而支持更高的工作频率。这对于追求小型化和高效能的现代电源系统至关重要。此外，器件的雪崩耐量经过优化设计，能够在突发的电感反电动势或短路故障下吸收一定的能量而不致立即失效，增强了系统的鲁棒性。
　　在热管理方面，C1947采用TO-220封装，具有良好的热传导性能，可通过外接散热片将热量有效传导至外部环境，保证长时间高负载运行下的可靠性。其最大功耗可达150W（在壳温25℃条件下），结温范围宽达-55℃至+150℃，适应各种严苛的工作环境。此外，该MOSFET的栅极驱动电压兼容性强，通常在10V~15V之间即可实现充分导通，可与常见的PWM控制器或驱动IC无缝对接。综合来看，C1947在性能、可靠性和成本之间实现了良好平衡，是一款成熟且广泛应用的中功率N沟道MOSFET器件。

应用

C1947广泛应用于多种电力电子系统中，尤其是在需要高效、高可靠性的开关操作场景下表现突出。最常见的应用领域是各类开关电源（SMPS），包括AC-DC电源适配器、充电器、PC电源模块等，常作为主开关管用于反激式（Flyback）或正激式（Forward）拓扑结构中，负责将高压直流电进行周期性通断，实现能量传递与电压变换。由于其500V的耐压能力和7A的持续漏极电流能力，能够满足多数中小功率电源的需求。
　　此外，C1947也常用于DC-DC转换器中，特别是在升压（Boost）、降压（Buck）或逆变（Invert）电路中作为功率开关元件，配合电感、电容和控制芯片完成电压调节任务。在电机驱动系统中，该器件可用于驱动小型直流电机或步进电机的H桥电路，实现正反转和调速功能，适用于家用电器、自动化设备和工业控制系统。
　　在照明电子领域，C1947被用于LED恒流驱动电源中，通过PWM调光方式精确控制输出电流，保障LED光源的亮度稳定与寿命延长。同时，它也可作为电子负载、过流保护电路或热插拔控制电路中的功率开关使用。由于其具备良好的温度稳定性和抗干扰能力，C1947在工业控制、通信电源、UPS不间断电源以及消费类电子产品中均有广泛应用。设计人员在使用时需注意合理布局PCB走线、加强散热措施，并配合合适的栅极驱动电阻以抑制振铃和电磁干扰。