C1812C821K2GACTU 是一款陶瓷片式电容器,属于 C 系列。它采用多层陶瓷技术制造,具有高可靠性和稳定性,适用于各种电子设备中的去耦、滤波和信号调节等应用。该型号符合工业标准,具备出色的频率特性和低等效串联电阻(ESR)。
这种电容器适合表面贴装工艺(SMD),能够在高温环境下保持稳定的性能。其设计使其在高频电路中表现出色,是许多现代电子产品的关键元件。
封装:0805
电容量:22pF
额定电压:50V
容差:±5%
温度特性:C0G(NP0)
直流偏压特性:无显著变化
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
尺寸:2.0mm x 1.25mm
高度:小于等于 1.2mm
重量:约 0.7mg
C1812C821K2GACTU 的主要特点是其采用了 C0G(NP0)类介质材料,这类材料具有极高的温度稳定性和低老化率,确保了电容器在宽温范围内性能的一致性。
此外,这款电容器还拥有较低的等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR),使其非常适合用于高频电路环境。
由于其小巧的尺寸和优秀的电气性能,这款电容器常用于射频模块、通信设备以及精密模拟电路等领域。同时,它的表面贴装形式简化了生产流程,提高了装配效率。
C1812C821K2GACTU 广泛应用于消费电子产品、工业控制设备和通信系统中。具体包括但不限于以下领域:
1. 射频电路中的滤波与匹配
2. 高速数字电路中的电源去耦
3. 振荡器和时钟电路中的负载电容
4. 音频设备中的信号调节
5. 医疗设备中的敏感信号处理
6. 工业自动化中的高频信号传输
这款电容器凭借其优异的性能,成为了众多高性能电子设备的理想选择。
C1608C821K4RACTU
C0G1E220J10AC
GRM1555C1H220JA01D