时间：2025/6/14 17:13:43
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C1808C180GBGAC7800 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，属于增强型高电子迁移率晶体管（HEMT）。该器件适用于高频、高效率的电力转换应用。它采用先进的封装技术，能够提供卓越的性能和可靠性，广泛用于电源管理、DC-DC转换器以及射频放大器等场景。
这款芯片结合了低导通电阻与快速开关速度的特点，从而显著降低了能量损耗，并提升了系统的整体效能。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：30A
导通电阻：18mΩ
栅极电荷：95nC
开关频率：超过5MHz
工作温度范围：-40℃至+125℃
C1808C180GBGAC7800 具有以下主要特性：
1. 采用氮化镓材料制造，支持更高的开关频率和更低的导通损耗。
2. 内置优化的栅极驱动电路，简化设计并提高稳定性。
3. 封装形式紧凑，适合空间受限的应用环境。
4. 提供高效的热管理能力，确保长期稳定运行。
5. 集成了多种保护功能，例如过流保护和短路保护，增强了器件的鲁棒性。
该芯片适用于以下领域：
1. 工业级和消费类 DC-DC 转换器。
2. 高效 AC-DC 电源适配器。
3. 数据中心服务器电源模块。
4. 太中的功率调节单元。
5. 汽车电子中需要高效率和高可靠性的车载充电设备。
6. 射频功率放大器及无线能量传输装置。
C1808C180GBGA8000
GAN036-650WSA
TX GaN HEMT 650V系列
