类型：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　封装尺寸：1608（公制）/ 0603（英制）
　　电容值：100nF (104)
　　容差：±10% (K)
　　额定电压：25V DC (1E)
　　介质材料：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：ΔC/C ≤ ±15% from -55°C to +125°C
　　直流偏压特性：随电压升高电容值略有下降
　　ESR：低等效串联电阻
　　绝缘电阻：≥1000MΩ 或 ≥100MΩ·μF（取较大值）
　　耐焊接热：符合IEC 60068-2-59等标准
　　端接类型：镍阻挡层，锡外涂层（Ni-Sn），适用于回流焊

C1608JB1E104K所采用的X7R陶瓷介质是II类电介质的一种，具有较高的介电常数，能够在相对较小的封装中实现较大的电容值。X7R材料的特点是在-55°C至+125°C的宽温度范围内，电容值的变化不超过±15%，这使其在大多数环境条件下具备良好的稳定性，适合用于对电容精度要求不极端但需要一定温度稳定性的应用。相比I类介质如C0G/NP0，X7R虽然在温度系数和电压线性度上稍逊一筹，但其体积效率更高，在相同封装下能提供更大的电容量，因此在去耦和滤波应用中更具优势。该器件的额定电压为25V DC，意味着在正常工作条件下可长期承受最高25V的直流电压，但在实际应用中建议留有一定余量，特别是在高温或存在电压瞬变的环境中，应考虑降额使用以提高可靠性。由于MLCC结构为多层叠层设计，内部由交替的陶瓷介质和金属电极构成，因此具有非常低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），特别适合高频去耦应用，例如为数字IC（如微处理器、FPGA、ASIC）的电源引脚提供稳定的局部储能，抑制电源噪声和电压波动。
　　此外，该电容器采用表面贴装技术（SMT）封装，端子经过镍阻挡层和锡外涂层处理，能够有效防止银迁移并兼容无铅回流焊接工艺，满足RoHS环保要求。在PCB布局中，应尽量将此类去耦电容靠近电源引脚放置，并缩短走线以降低寄生电感，从而提升去耦效果。值得注意的是，MLCC的电容值会随着施加的直流偏置电压升高而下降，尤其是X7R介质更为明显，因此在25V额定电压下实际可用的有效电容可能低于标称值，设计时应参考厂商提供的直流偏压特性曲线进行评估。此外，机械应力（如PCB弯曲）也可能引起微裂纹导致开路或短路，因此在组装和结构设计中需注意避免过度应力。总体而言，C1608JB1E104K是一款性能均衡、可靠性高、应用广泛的通用型贴片电容，适用于多种电子系统中的信号与电源完整性管理。

C1608JB1E104K广泛应用于各类电子设备中的电源去耦、信号滤波、旁路和耦合电路。在数字系统中，它常被用作微控制器、逻辑门电路、存储器芯片以及现场可编程门阵列（FPGA）的电源引脚去耦电容，用于吸收高频噪声、稳定供电电压并减少因开关电流引起的电压波动。由于其低ESR和小尺寸特性，多个此类电容可并联布置在电源网络中，形成多层次滤波结构，有效覆盖从低频到高频的噪声抑制需求。在模拟电路中，该电容可用于音频信号路径中的交流耦合，阻隔直流分量同时允许交流信号通过，适用于前置放大器、ADC驱动电路等场景。此外，在DC-DC转换器、LDO稳压器的输入输出端，C1608JB1E104K可作为滤波元件，平滑电压纹波，提高电源质量。在通信模块中，如Wi-Fi、蓝牙、蜂窝模组等射频前端电路，该电容可用于偏置电路的旁路或匹配网络中的隔直电容。消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能手表等因空间受限，普遍采用0603或更小封装的MLCC，C1608JB1E104K正符合这一趋势。工业控制系统、医疗设备、汽车电子（非动力域）中也常见其身影，用于传感器信号调理、接口保护和电源管理单元。由于其工作温度范围宽，可在恶劣环境下保持基本性能，因此适用于需要一定环境适应性的应用场景。总之，该器件凭借其小型化、高可靠性和良好电气性能，成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。

GRM188R71E104KA01D
　　CL21A104KAQNNNE
　　C1608X7R1E104K