时间：2025/6/17 5:59:06
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C1210X222K251TD 是一款由村田制作所（Murata）生产的多层陶瓷电容器（MLCC），属于 X7R 温度特性系列。该电容器采用表面贴装技术（SMD），具有高可靠性和稳定性，广泛应用于各种电子设备中以提供滤波、去耦和储能等功能。
该型号中的参数含义如下：C 表示尺寸代码（1210 尺寸），222 表示标称容量为 220nF (0.22μF)，K 表示容差为 ±10%，25 表示额定电压为 25V，1T 表示温度特性为 X7R，D 表示包装形式为卷带包装。
标称容量：220nF (0.22μF)
容差：±10%
额定电压：25V
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
封装类型：1210
温度特性：X7R
直流偏压特性：较低
介质材料：陶瓷
ESR：低
高度：约 1.2mm
长度：约 3.2mm
宽度：约 1.6mm
C1210X222K251TD 具有出色的电气性能和机械性能，适合在高频和高可靠性应用场景下使用。
1. 温度特性稳定：X7R 温度补偿特性使其在 -55°C 至 +125°C 的温度范围内保持稳定的电容值。
2. 高可靠性：产品经过严格的质量控制流程，能够在恶劣环境下长期运行。
3. 低 ESR 和 ESL：这款电容器的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL）都很低，从而提高了高频性能。
4. 紧凑设计：1210 封装确保了较小的占板面积，同时支持大容量存储需求。
5. 耐焊性良好：采用耐焊接热的端电极材料，可承受回流焊和波峰焊工艺。
C1210X222K251TD 主要用于需要高性能电容器的各种场景：
1. 滤波：用于电源电路中的输入输出滤波，减少纹波和噪声干扰。
2. 去耦：用于集成电路（IC）的电源引脚去耦，提高信号完整性。
3. 能量存储：适用于需要短时间能量存储和释放的应用，例如脉冲电路。
4. 高频电路：由于其低 ESR 和低 ESL 特性，非常适合射频（RF）模块和高速数字电路。
5. 工业与消费电子：包括但不限于工业自动化设备、通信设备、医疗设备以及家用电器等领域。
C1210C222K8BAAC, C1210X222K4RACTU, GRM31CR60J222KE8
