C1206T919D1GALTU 是一款贴片陶瓷电容器,采用多层陶瓷工艺制造(MLCC),广泛应用于电子电路中。该型号属于 C 系列电容器,具有高可靠性和稳定性,适合在高频和低 ESR 应用场景下使用。
其封装为 1206 英寸标准尺寸,便于自动化贴装,适用于各类表面贴装技术(SMT)生产线。这款电容器的主要特点是体积小、性能稳定以及能够承受较高的频率环境。
封装:1206
容值:9.1pF
额定电压:50V
公差:±1%
介质材料:C0G(NP0)
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
ESR:≤10mΩ(典型值)
直流偏压特性:无显著变化
频率特性:稳定至 GHz 范围
该电容器采用了 C0G 类型的介质材料,因此具备极佳的温度稳定性和频率特性。其容值随温度变化几乎可以忽略不计,最大漂移仅为 ±30ppm/℃。此外,由于是 NP0 类介质,即使在高频条件下,其损耗也非常低,适合用于滤波、耦合、匹配网络等应用。
C1206T919D1GALTU 的高精度容值(±1% 公差)使其成为精密电路的理想选择。同时,它的低等效串联电阻 (ESR) 和低等效串联电感 (ESL) 保证了在高频场景下的优异表现。
这款电容器主要应用于高频通信设备、射频模块、无线传输系统以及精密模拟电路中。例如:
1. 滤波器设计:作为 LC 滤波器中的关键元件,用于抑制噪声或提取特定信号。
2. 耦合与解耦:在电源电路中提供稳定的去耦功能,减少电压波动对敏感电路的影响。
3. 匹配网络:用于射频前端设计,优化天线输入输出阻抗。
4. 振荡电路:配合晶体振荡器实现精准的时钟信号生成。
5. 数据转换器旁路:确保 ADC/DAC 等高速数据转换器的电源稳定性。
C1206C919D1GACTU
C1206X919D1GALTU
C1206C919D1GALTU