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C1206T919D1GALTU 发布时间 时间:2025/6/5 17:47:22 查看 阅读:21

C1206T919D1GALTU 是一款贴片陶瓷电容器,采用多层陶瓷工艺制造(MLCC),广泛应用于电子电路中。该型号属于 C 系列电容器,具有高可靠性和稳定性,适合在高频和低 ESR 应用场景下使用。
  其封装为 1206 英寸标准尺寸,便于自动化贴装,适用于各类表面贴装技术(SMT)生产线。这款电容器的主要特点是体积小、性能稳定以及能够承受较高的频率环境。

参数

封装:1206
  容值:9.1pF
  额定电压:50V
  公差:±1%
  介质材料:C0G(NP0)
  工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
  ESR:≤10mΩ(典型值)
  直流偏压特性:无显著变化
  频率特性:稳定至 GHz 范围

特性

该电容器采用了 C0G 类型的介质材料,因此具备极佳的温度稳定性和频率特性。其容值随温度变化几乎可以忽略不计,最大漂移仅为 ±30ppm/℃。此外,由于是 NP0 类介质,即使在高频条件下,其损耗也非常低,适合用于滤波、耦合、匹配网络等应用。
  C1206T919D1GALTU 的高精度容值(±1% 公差)使其成为精密电路的理想选择。同时,它的低等效串联电阻 (ESR) 和低等效串联电感 (ESL) 保证了在高频场景下的优异表现。

应用

这款电容器主要应用于高频通信设备、射频模块、无线传输系统以及精密模拟电路中。例如:
  1. 滤波器设计:作为 LC 滤波器中的关键元件,用于抑制噪声或提取特定信号。
  2. 耦合与解耦:在电源电路中提供稳定的去耦功能,减少电压波动对敏感电路的影响。
  3. 匹配网络:用于射频前端设计,优化天线输入输出阻抗。
  4. 振荡电路:配合晶体振荡器实现精准的时钟信号生成。
  5. 数据转换器旁路:确保 ADC/DAC 等高速数据转换器的电源稳定性。

替代型号

C1206C919D1GACTU
  C1206X919D1GALTU
  C1206C919D1GALTU

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C1206T919D1GALTU参数

  • 数据列表C1206T919D1GALTU
  • 产品培训模块Capacitor Basics- Typical Uses for Capacitors
  • 标准包装4,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列-
  • 电容9.1pF
  • 电压 - 额定100V
  • 容差±0.5pF
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用高可靠性
  • 额定值COTS
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 尺寸/尺寸0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.035"(0.88mm)
  • 引线间隔-
  • 特点-
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-
  • 其它名称C1206T919D1GALC1206T919D1GAL7800