C1206C275J8RAC7800 是一种多层陶瓷电容器 (MLCC),属于 C 系列,采用 X7R 温度特性材料。该型号适用于表面贴装技术 (SMT) 的电路设计,具有良好的频率特性和稳定性。X7R 材料确保其在较宽的温度范围内 (-55°C 至 +125°C) 保持稳定的电容值。该电容器通常用于滤波、耦合、旁路和储能等应用中。
该型号中的具体参数定义如下:C 表示系列,1206 是尺寸代码(3.2mm x 1.6mm),275 表示电容值为 27pF,J 表示容差为 ±5%,8 表示额定电压等级为 50V,RA 表示封装类型,C 表示终端材质为镀锡,7800 是批号或序列号。
电容值:27pF
容差:±5%
额定电压:50V
温度范围:-55°C 至 +125°C
封装形式:0603 (公制 1608)
材料特性:X7R
直流偏置特性:低
ESR:低
ESL:低
工作频率范围:高达 500MHz
C1206C275J8RAC7800 具备以下主要特性:
1. 高可靠性:X7R 材料提供了优秀的温度稳定性和耐久性,在极端环境条件下表现良好。
2. 小型化设计:采用标准 0603 封装,适合高密度 PCB 布局。
3. 良好的频率响应:在高频条件下仍能维持较低的等效串联电阻 (ESR) 和等效串联电感 (ESL),使其非常适合高频信号处理。
4. 直流偏置效应小:相较于其他类型的陶瓷电容器,X7R 材料在施加直流电压时电容值变化较小。
5. 高品质工艺:镀锡端电极提供良好的焊接性能和防腐蚀能力。
6. 广泛的兼容性:可与多种电源管理 IC 和射频模块配合使用。
C1206C275J8RAC7800 主要应用于以下领域:
1. 滤波器设计:可用于电源滤波以减少噪声干扰。
2. 耦合/去耦:在放大器或逻辑电路中作为信号耦合或电源去耦元件。
3. 高速数字电路:为 FPGA、微控制器和其他高速器件提供稳定的电源去耦。
4. 射频电路:在无线通信模块中用作匹配网络或谐振元件。
5. 工业自动化:在恶劣环境下提供可靠的滤波和储能功能。
6. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑和音频设备中的高频信号处理部分。
C1206C275K8RAC7800
C1206C275J8RACTU
C1206C275J8RAC
C0603C275J8RAC7800