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C1206C152J1GAL7800 发布时间 时间:2025/7/10 15:09:41 查看 阅读:15

C1206C152J1GAL7800 是一种多层陶瓷电容器(MLCC),属于片式电容器的一种。这种型号的电容器采用的是X7R介质材料,具有稳定的电气特性和温度特性,适合应用于多种电子电路中,包括滤波、耦合、去耦等场景。
  该型号中的具体含义如下:C表示电容类型为多层陶瓷电容;1206是尺寸代码,代表其外形尺寸为1206英寸(3.2mm x 1.6mm);C152表示标称容量为0.15μF(150nF);J表示容差为±5%;1GA表示直流工作电压为50V;L7800可能代表供应商特定的批次或内部编码。

参数

容量:150nF
  尺寸:1206英寸(3.2mm x 1.6mm)
  额定电压:50V
  容差:±5%
  介质材料:X7R

特性

C1206C152J1GAL7800 使用了X7R介质材料,这是一种具有高稳定性的陶瓷材料,在-55°C至+125°C的温度范围内,电容量变化不会超过±15%,因此非常适合需要稳定性能的应用场景。
  此外,由于其较小的封装尺寸和较高的可靠性,这种电容器在高频应用中表现出良好的性能,同时能够有效降低寄生电感的影响,从而提高整体电路的稳定性。
  这种电容器还具备低ESR(等效串联电阻)和低ESL(等效串联电感),使其能够在高频条件下保持高效的能量传递,适用于电源滤波和信号处理等应用领域。
  另外,由于其小型化设计和表面贴装技术兼容性,这种电容器广泛用于消费类电子产品、通信设备以及工业控制等领域。

应用

C1206C152J1GAL7800 通常应用于各种电子电路中,例如:
  1. 滤波电路:用于去除电源线上的高频噪声,确保供电质量。
  2. 耦合电路:在放大器和其他信号处理电路中用作信号耦合元件,以实现不同级之间的信号传输而不影响直流偏置。
  3. 去耦电路:在集成电路附近放置此电容器可以减少电源波动对芯片性能的影响。
  4. 高频电路:由于其低ESR和ESL特性,可以在射频和微波电路中发挥重要作用。
  总之,这种电容器因其优异的电气特性和物理特性而被广泛应用于各类现代电子设备中。

替代型号

C1206C152K1RACD0805, GRM21BR61E152JA01D

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C1206C152J1GAL7800参数

  • 制造商Kemet
  • 电容1500 pF
  • 容差5 %
  • 电压额定值100 Volts
  • 温度系数/代码30 PPM / C
  • 外壳代码 - in1206
  • 外壳代码 - mm3216
  • 工作温度范围- 55 C to + 125 C
  • 产品MLCCs Tin/Lead Termination
  • 封装Bulk
  • Capacitance - nF1.5 nF
  • Capacitance - uF0.0015 uF
  • C0G (NP0)
  • 尺寸1.6 mm W x 3.2 mm L x 1 mm H
  • 封装 / 箱体1206 (3216 metric)
  • 系列C1206C
  • 工厂包装数量2500
  • 端接类型SMD/SMT
  • 电压额定值 DC100 Volts