类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　漏极电流（Id）：10A
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.48Ω（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：35nC（典型值）
　　封装类型：TO-220、TO-252（DPAK）等

C10N50Z4A具有多项关键特性，使其在功率MOSFET中表现优异。首先，其低导通电阻（Rds(on)）在500V电压等级中相对较低，有助于减少导通损耗，提高系统效率。其次，器件的栅极电荷（Qg）较低，能够显著降低开关损耗，从而在高频开关应用中表现出色。
　　此外，C10N50Z4A具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了器件在异常工作条件下的可靠性和耐用性。其封装形式（如TO-220）提供了良好的热管理和机械稳定性，适合在高温环境下运行。
　　该MOSFET的沟槽栅设计优化了电场分布，提高了器件的耐压能力，并降低了开关过程中的能量损耗。这些特性使其适用于多种高要求的应用场景，包括工业电源、太阳能逆变器、电动车充电系统等。

C10N50Z4A主要应用于需要高耐压和高效能的功率电子系统中。其典型应用场景包括AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、光伏逆变器以及负载开关控制等。
　　在电源适配器和转换器中，C10N50Z4A可用于提高转换效率，降低热量产生，从而实现更紧凑的设计。在电机驱动器中，该MOSFET可提供稳定的高电流切换性能，确保电机运行平稳高效。
　　此外，C10N50Z4A也可用于电动车充电设备和储能系统中，作为主开关或同步整流器件。其高可靠性和耐久性使其在严苛环境下仍能保持稳定运行。

STP10NK50Z, IRF540N, FQA10N50C, FDP10N50