C1045DW 时间：2025/9/6 7:14:45 阅读：2

C1045DW是一种N沟道功率MOSFET，广泛用于高功率开关和放大电路中。该器件由东芝（Toshiba）生产，采用DIP（双列直插式封装），适合高频应用和音频功率放大器等场景。C1045DW的高耐压和大电流特性使其成为许多功率电子设备中的关键组件。

参数

类型：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：500V
　　最大漏极电流（Id）：15A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.55Ω（最大）
　　封装类型：DIP
　　最大功耗（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　增益带宽：10MHz（典型）
　　漏极电容（Ciss）：1200pF（典型）

特性

C1045DW是一款性能优异的N沟道MOSFET，具有较高的耐压能力和较大的漏极电流，适合高功率应用。其主要特性包括低导通电阻、高开关速度以及优异的热稳定性。该器件在高温环境下仍能保持稳定工作，适用于需要长时间运行的电源和放大设备。此外，C1045DW的DIP封装便于安装和散热管理，使其在音频放大器、开关电源、马达控制等领域得到广泛应用。
　　C1045DW还具备良好的抗冲击能力和高可靠性，适用于各种恶劣工作环境。其高频响应特性有助于减少开关损耗，提高系统效率。同时，该器件的栅极驱动要求较低，简化了驱动电路的设计。

应用

C1045DW广泛应用于各类功率电子设备中，包括音频功率放大器、开关电源、DC-DC转换器、逆变器、马达控制电路以及工业自动化设备。在音频系统中，C1045DW可用于高保真功率放大器，提供清晰的音质输出；在电源系统中，它适用于高效能开关电源设计，提升整体转换效率。此外，该MOSFET也常用于电池充电器、不间断电源（UPS）及LED照明驱动电路中。