电容值：100pF
　　误差等级：±20%
　　额定电压：根据具体封装和材质可能有所不同（常见为50V、100V）
　　温度系数：依据陶瓷介质类型（如X7R、X5R、COG/NPO等）
　　封装尺寸：根据制造商和系列不同而有所变化（如0402、0603、0805等）
　　工作温度范围：依据陶瓷介质类型（如-55°C至+125°C）
　　介质材料：多层陶瓷（MLCC）

C101M 陶瓷电容器具备多种优良特性，使其在电子电路设计中得到广泛应用。首先，其多层陶瓷结构提供了较高的电容密度，同时保持较小的封装尺寸，非常适合高密度PCB布局和小型化电子产品。其次，由于陶瓷材料的稳定性和非极性特性，C101M 在高频电路中表现出较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），适用于射频（RF）、滤波和旁路电路。
　　此外，C101M 陶瓷电容具有良好的温度稳定性，具体取决于所使用的陶瓷介质类型。例如，若采用COG/NPO介质，其温度系数接近零，适合高精度定时和振荡电路；若采用X7R或X5R介质，则在较宽温度范围内保持较大电容值，适用于去耦和滤波应用。
　　由于其SMD封装形式，C101M 陶瓷电容器支持自动化贴片工艺，提高了生产效率并降低了制造成本。同时，该类电容器无极性设计，简化了电路设计和装配流程。

C101M 陶瓷电容器广泛应用于各类电子设备和系统中，尤其在需要高频响应、低ESR和紧凑设计的场景中表现出色。常见应用包括：
　　1. 电源去耦和旁路电路：在集成电路（IC）电源引脚附近使用C101M电容器，可有效滤除高频噪声，提高电源稳定性。
　　2. 射频（RF）和无线通信电路：由于其低ESL和ESR特性，C101M适用于射频滤波、匹配网络和信号耦合。
　　3. 定时与振荡电路：若使用COG/NPO介质的C101M电容器，可实现高精度的定时和振荡功能，常见于晶振电路和精密模拟电路。
　　4. 滤波与信号处理：在模拟和数字信号路径中，用于去除高频干扰或作为耦合电容。
　　5. 工业控制与消费类电子产品：广泛用于嵌入式系统、电源管理模块、传感器接口电路等。

C101K、C101C、C100M、C102M、C221M