C1005NP01H821J050BA 是一种陶瓷电容器,属于 NP0(C0G)介质类型的多层陶瓷电容 (MLCC)。这种电容器具有高稳定性和低损耗特性,适合在高频和精密电路中使用。该型号通常应用于信号滤波、耦合、旁路及电源去耦等场景。
容量:5pF
额定电压:50V
公差:±0.2pF
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
封装类型:0402英寸
介质材料:NP0(C0G)
直流偏压特性:无显著变化
频率特性:适用于高频应用
C1005NP01H821J050BA 具有以下显著特点:
1. 温度稳定性:其采用的 NP0 介质确保了电容量在宽温度范围内几乎不发生漂移,满足对温度稳定性要求较高的应用场景。
2. 高精度:由于其公差仅为 ±0.2pF,能够提供非常精确的电容值,适用于需要高精度电容值的设计。
3. 小型化设计:0402 英寸封装使其非常适合空间受限的应用环境。
4. 低损耗:其介质损耗较低,特别适合高频电路中的性能优化。
5. 长寿命和高可靠性:这种电容器即使在长期使用后也能够保持其电气特性的稳定。
该电容器主要应用于通信设备、医疗电子、航空航天、工业控制等领域。具体应用包括:
1. RF 滤波器:用于射频信号的滤波与匹配。
2. 高速数据传输线路:用作信号耦合或解耦。
3. 振荡电路:为晶体振荡器提供稳定的负载电容。
4. 电源管理模块:在电源输入端进行去耦以减少噪声干扰。
5. 测试测量仪器:作为参考电容,用于高精度测试设备中。
C1005X5R1H821J050BA
C1005X7R1H821J050BA