C0831C 时间：2025/7/26 18:34:57 阅读：5

C0831C 是一款由 Vishay Siliconix 制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件广泛应用于电源管理、电机控制、DC-DC 转换器、负载开关以及电池供电设备等场合。其主要优势在于低导通电阻（Rds(on)）、高效率和快速开关性能，能够显著降低功率损耗，提高系统整体能效。此外，C0831C 采用先进的沟槽技术，优化了导通和开关性能之间的平衡，使其适用于高频率操作环境。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：20V
　　最大漏极电流（Id）：60A（在 Tc=25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：8.3mΩ（最大值，Vgs=10V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：1V ~ 2.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TO-220AB

特性

C0831C MOSFET 的主要特性包括其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高能效。其低栅极电荷（Qg）也使得器件在高频开关应用中表现优异，从而减少开关损耗。此外，该器件具有较高的热稳定性，能够在较高的工作温度下保持良好的性能，适用于高负载和高功率应用。C0831C 还具备良好的抗雪崩能力，确保在瞬态过压情况下器件的可靠性。
　　该器件的封装形式（TO-220AB）具备良好的散热性能，有助于快速将热量传导至外部散热片，从而延长器件的使用寿命并提高系统的稳定性。此外，C0831C 在设计上采用了先进的沟槽技术，优化了导通电阻与开关性能之间的平衡，使其适用于多种高要求的功率管理应用。其高耐压能力和快速开关特性也使其成为工业自动化、汽车电子和消费类电子产品中的理想选择。

应用

C0831C MOSFET 主要应用于电源管理系统、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池保护电路、电源分配系统以及高性能计算机和服务器电源模块。在汽车电子领域，它可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块。此外，该器件还可用于工业自动化设备、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及高功率 LED 驱动电路等场合。