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C0805C562M4HAC7800 发布时间 时间:2025/6/29 0:22:51 查看 阅读:5

C0805C562M4HAC7800 是一款多层陶瓷电容器(MLCC),采用0805封装,具有5.6nF的标称电容值和X7R温度特性。这种类型的电容器广泛应用于滤波、去耦、旁路等场景,尤其适用于需要较高稳定性和较低ESR(等效串联电阻)的应用中。
  该型号属于贴片式元件,其体积小巧且适合表面贴装工艺,能够满足消费电子、通信设备以及工业控制等领域的高频电路需求。

参数

封装:0805
  电容量:5.6 nF
  额定电压:4V
  温度特性:X7R
  耐压范围:DC 4V
  公差:±10%
  工作温度范围:-55℃ to +125℃
  尺寸:2.0mm x 1.25mm x 1.25mm
  直流偏置特性:低
  介质材料:陶瓷

特性

C0805C562M4HAC7800 具有优良的温度稳定性和频率响应性能,得益于其X7R温度特性的设计,它能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的电容值变化率(在-55°C至+125°C之间电容变化不超过±15%)。此外,这款电容器具备较高的抗机械应力能力,并且拥有较低的等效串联电阻(ESR),使其特别适合高频应用环境。
  同时,由于采用了多层陶瓷结构,该器件能够提供更高的容积效率,在有限的空间内实现较大的电容量。它的直流偏置效应相对较小,这意味着即使在施加直流电压时,电容器的实际电容值也不会显著降低。

应用

这款电容器适用于多种电子设备中的电源去耦、信号滤波和噪声抑制等功能。具体应用场景包括:
  1. 消费类电子产品(如智能手机、平板电脑、电视等)中的电源管理模块。
  2. 工业控制设备中的高频信号处理电路。
  3. 通信设备中的射频前端及中间频率电路。
  4. 音频设备中的音频信号滤波与放大器去耦。
  5. 计算机主板上的CPU/GPU供电电路中的去耦电容。
  总之,C0805C562M4HAC7800 凭借其优异的性能表现,可为各种复杂电路提供可靠的解决方案。

替代型号

C0805C562M4RACTU
  C0805C562M4GACTU
  C0805C562M4KACTU

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C0805C562M4HAC7800参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格12,000 : ¥0.18081卷带(TR)
  • 系列SMD Comm X8R HT150C
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容5600 pF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定16V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性低 ESL,高温
  • 等级-
  • 应用通用
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.035"(0.88mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-