类型：齐纳二极管
　　极性：单齐纳
　　标称齐纳电压：16 V
　　容差：±5%
　　最大功率耗散：500 mW
　　测试电流：1 mA
　　最大反向漏电流：100 nA（在额定电压下）
　　动态阻抗：35 Ω（典型值）
　　工作结温范围：-65 °C 至 +175 °C
　　封装：SOD-80（SC-79）

BZY88C16齐纳二极管的核心特性在于其高精度的电压稳定能力和优良的温度系数表现。该器件在1 mA的测试电流下提供16V的标称齐纳电压，且电压容差控制在±5%以内，这使得它非常适合用于需要精确参考电压的应用场景，如模数转换器（ADC）或数模转换器（DAC）的基准源。其动态阻抗典型值为35Ω，在小电流工作条件下仍能保持较低的电压变化率，有效抑制因负载变动引起的电压波动。这一特性对于低功耗系统尤为重要，因为它可以在微安级偏置电流下依然维持稳定的输出电压。
　　该器件采用先进的硅扩散工艺制造，确保齐纳击穿机制主导而非雪崩击穿，从而显著降低噪声水平。相比雪崩型二极管，BZY88C16在反向击穿区域产生的电子噪声更少，适用于对信号完整性要求较高的模拟前端电路。此外，其温度系数经过优化设计，在接近16V的电压等级下处于相对平衡点，避免了过高或过低电压齐纳管常见的正负温度漂移极端情况，提高了在整个工作温度范围内的电压稳定性。
　　SOD-80封装不仅体积小巧，便于高密度布局，而且具有良好的热传导性能，有助于将内部产生的热量快速传递至PCB，防止局部过热导致参数漂移或器件损坏。尽管最大功耗仅为500mW，但在适当的散热条件下，BZY88C16仍可长时间可靠运行。器件的工作结温范围宽达-65°C至+175°C，表明其具备出色的环境适应能力，可在高温工业环境或低温户外设备中稳定工作。
　　此外，BZY88C16具备优异的老化稳定性，长期使用后电压漂移极小，适合需要长期免维护运行的系统。其反向漏电流低于100nA，意味着在非导通状态下几乎不消耗额外功率，有利于提升整体系统的能效。综合这些电气与物理特性，BZY88C16成为众多中高压参考应用中的理想选择。

BZY88C16主要应用于需要稳定电压参考或简单稳压功能的电子电路中。常见用途包括电源电压监控电路中的参考源，用于比较器或电压检测IC的输入基准，以判断主电源是否处于正常工作范围。在模拟信号处理系统中，它可以为运算放大器提供偏置电压或作为钳位元件，防止输入信号超出允许范围而导致器件损坏。此外，该齐纳二极管也常用于低压直流电源的简易稳压方案，特别是在无法使用集成稳压器的空间受限设计中。
　　在通信设备中，BZY88C16可用于接口电平匹配和ESD保护辅助电路，结合限流电阻使用可吸收一定程度的瞬态过压能量，提高系统鲁棒性。在消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，因其小型化封装和低功耗特性，被广泛用于电池管理系统中的电压采样参考路径。
　　工业控制系统中，该器件可用于PLC模块、传感器信号调理电路和数据采集系统中，作为精密电压基准的一部分。在汽车电子领域，尽管其未专门认证为AEC-Q101器件，但仍可在部分车载辅助电路中使用，例如仪表盘显示驱动、车内照明调光控制等非关键性应用。
　　此外，BZY88C16还可用于反馈回路中的电压采样网络，配合光耦构成隔离式开关电源的次级侧电压检测单元。通过合理设计分压电阻网络，可以实现对输出电压的精确监测与调节。总之，其高稳定性、小尺寸和成本优势使其在多种电子系统中发挥重要作用。

PZM16, BZX84-C16, MMBZ5241BT-1, 1N5241B