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BZX84J-B2V7 发布时间 时间:2025/9/14 2:35:43 查看 阅读:8

BZX84J-B2V7 是一款由 Nexperia(安世半导体)生产的表面贴装(SOT23 封装)齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压参考和稳压应用。该器件具有稳定的击穿电压、低动态阻抗和良好的温度稳定性,适用于需要精确电压调节的小型电子系统。BZX84J-B2V7 的标称齐纳电压为 2.7 V,在 IZ = 10 mA 时测得,适合用于低压电路中的参考电压源或电压钳位保护。

参数

类型:齐纳二极管
  封装类型:SOT23
  最大耗散功率:300 mW
  齐纳电压(标称值):2.7 V
  测试电流(IZ):10 mA
  最大齐纳电流(IZM):约 100 mA
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  最大反向漏电流(IR):100 nA(VR = 1.8 V)
  最大动态阻抗(Zzt):150 Ω

特性

BZX84J-B2V7 是一款高性能的齐纳二极管,具备出色的电压稳定性和低动态阻抗,能够在各种工作条件下提供精确的参考电压。其 SOT23 封装形式体积小巧,适用于高密度 PCB 设计。该器件的最大耗散功率为 300 mW,能够在 IZ = 10 mA 的标准测试条件下提供稳定的 2.7 V 击穿电压,非常适合用于便携式设备、电源管理系统、电池供电设备和电压监测电路中。
  BZX84J-B2V7 还具备良好的温度稳定性,在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内仍能保持电压精度,适用于工业级和汽车电子应用。其低反向漏电流(最大 100 nA)确保在低电压电路中不会造成显著的功耗或干扰。此外,该器件的动态阻抗较低,有助于减少负载变化对输出电压的影响,提高系统的整体稳定性。
  由于其优良的性能和小尺寸封装,BZX84J-B2V7 广泛用于模拟电路、DC-DC 转换器、电压基准、保护电路和嵌入式系统的电压监测模块中。该器件符合 RoHS 标准,适用于无铅焊接工艺。

应用

BZX84J-B2V7 主要用于需要稳定参考电压或电压钳位保护的电子电路中。典型应用包括电源管理电路中的电压参考、ADC 和 DAC 的基准电压源、低电压检测电路、电池供电设备中的稳压控制、DC-DC 转换器反馈回路、过压保护电路、以及各种便携式电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等中的电压调节模块。

替代型号

BZX84C2V7, BZX84J-2V7, MMSZ4680T1G, ZMM2V7

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