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BZX84J-B2V7,115 发布时间 时间:2025/9/14 1:22:13 查看 阅读:4

BZX84J-B2V7,115 是一款由 Nexperia(原 Philips Semiconductors)制造的表面贴装齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和参考电压应用。该器件属于 BZX84J 系列,具有低动态阻抗、良好的温度稳定性和精确的电压容差,适用于低功耗电路中的电压基准或稳压功能。

参数

类型:齐纳二极管
  标称齐纳电压:2.7 V
  齐纳电压公差:±1%
  最大齐纳电流:200 mA
  最大功率耗散:300 mW
  工作温度范围:-65°C 至 +150°C
  封装类型:SOT-23
  引脚数:3

特性

BZX84J-B2V7,115 齐纳二极管具有多项优良的电气和热特性。其齐纳电压为 2.7 V,误差仅为 ±1%,确保了在精密电路中提供稳定的参考电压。器件的动态阻抗非常低,有助于在负载变化时维持稳定的输出电压。最大齐纳电流为 200 mA,允许在较宽的电流范围内使用,而不影响电压调节的稳定性。
  该齐纳二极管的最大功率耗散为 300 mW,适用于中低功率的稳压应用场景。其 SOT-23 封装体积小巧,便于在高密度 PCB 设计中使用,并具有良好的热稳定性。工作温度范围从 -65°C 到 +150°C,使其能够在极端温度条件下可靠运行,适用于工业级和汽车电子等要求较高的应用场景。
  此外,该器件具有良好的温度系数,能够在温度变化较大的情况下保持稳定的电压输出。其快速响应特性也有助于在电源波动或负载突变时提供即时的电压调节。

应用

BZX84J-B2V7,115 常用于各种电子设备中的电压参考和稳压电路。典型应用包括模拟和数字电路中的基准电压源、电源管理电路、电池充电器、电压检测电路以及微控制器系统的电压保护。在便携式设备、传感器模块、工业控制系统和汽车电子系统中,该器件能够提供稳定的电压参考,确保系统的可靠运行。
  由于其小型 SOT-23 封装,该齐纳二极管也广泛用于需要空间优化的设计中,如智能手机、穿戴设备和小型物联网设备。此外,它也适用于需要高精度电压控制的测试和测量设备,以及用于温度补偿和信号调节的电路。

替代型号

BZX84C2V7, LMVZ27, SZ1SMB270, MMSZ4684T1G

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BZX84J-B2V7,115参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)2.7V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.1V @ 100mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电20µA @ 1V
  • 容差±2%
  • 功率 - 最大550mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)100 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-90,SOD-323F
  • 供应商设备封装SOD-323F
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-65°C ~ 150°C
  • 其它名称934060949115BZX84J-B2V7 T/RBZX84J-B2V7 T/R-ND