类型：齐纳二极管
　　极性：单齐纳
　　最大耗散功率：500mW
　　标称齐纳电压(Vz)：6.2V
　　测试电流(IzT)：5mA
　　最大动态阻抗(Zzt)：15Ω
　　电压容差：±5%
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SOD-323（SC-90）
　　安装类型：表面贴装(SMD)
　　制造商：Diodes Incorporated
　　系列：BZX84
　　反向漏电流(IR)：<1μA @ VR = 4V

BZX84C6V2-7-F具备优异的电气特性和稳定性，特别适用于低功耗环境下的电压参考和稳压功能。其核心优势之一在于6.2V的齐纳电压恰好处于硅材料齐纳二极管温度系数最小的工作点附近，这意味着在该电压下，器件的温度漂移极小，表现出最佳的热稳定性。这种特性使其成为高精度模拟电路中理想的电压基准源，例如在ADC/DAC参考电路、传感器信号调理或电源监控电路中发挥关键作用。此外，该器件的最大功率耗散为500mW，能够在有限的空间内承受适度的连续电流负载，同时保持良好的散热性能。
　　该齐纳二极管采用SOD-323超小型封装，外形尺寸仅为约1.7mm × 1.25mm × 0.95mm，非常适合高密度PCB布局设计，尤其在智能手机、可穿戴设备和平板电脑等对空间极为敏感的应用中具有显著优势。其表面贴装结构支持回流焊工艺，便于实现自动化大规模生产，提升制造效率并降低组装成本。动态阻抗低至15Ω，意味着在负载变化时输出电压波动较小，从而提供更平稳的稳压效果。配合外部限流电阻使用时，能有效抑制瞬态过压，保护后续敏感电路不受损害。
　　该器件还具备良好的反向漏电流特性，在低于击穿电压的条件下漏电极小（典型值小于1μA），有助于减少静态功耗，延长电池供电系统的续航时间。其±5%的电压容差确保了批次间的一致性，提升了系统设计的可预测性和可靠性。工作结温范围宽达-55°C至+150°C，使该器件不仅能在常温环境下稳定运行，也能适应工业级甚至部分汽车级应用中的极端温度条件。综合来看，BZX84C6V2-7-F凭借其优良的温度特性、小型化封装和高可靠性，成为众多低压稳压场景中的优选方案。

BZX84C6V2-7-F广泛应用于各种需要稳定电压参考或简单过压保护的电子系统中。常见用途包括为微控制器、运算放大器或其他模拟集成电路提供基准电压，特别是在没有专用基准源的情况下，利用其稳定的6.2V击穿电压构建低成本稳压电路。它也常用于电源轨的电压钳位，防止因瞬态浪涌或ESD事件导致下游元件损坏，因此在USB接口、GPIO引脚保护、按键输入电路中都有部署。
　　在电池供电设备如移动终端、IoT节点和便携式医疗仪器中，该器件因其低功耗和小尺寸而被广泛采用。此外，在传感器信号调理电路中，BZX84C6V2-7-F可用于偏置电压生成或信号电平限制，以确保输入信号在ADC的允许范围内。在开关电源反馈回路中，也可作为误差检测的参考元件，配合光耦实现隔离式稳压控制。
　　由于其出色的温度稳定性，该器件还适用于环境温度变化较大的户外设备或工业控制系统。在音频电路中，可用于偏置设置或噪声抑制；在LED驱动电路中，可用于限压保护。总之，凡是在低功率条件下需要精确且稳定的电压钳位或参考的应用场合，BZX84C6V2-7-F都是一个可靠且经济的选择。

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　　 "MMBZ5234B,115",
　　 "PZM6.2,115",
　　 "SZBZT52C6V2-GS08",
　　 "ZMM6V2",
　　 "BZX84-C6V2"
　　]