时间：2025/12/26 12:05:52
阅读：8
BZX84C3V9-7是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装小信号齐纳二极管，专为精密电压参考和电路保护应用而设计。该器件采用SOD-323（SC-90）超小型塑料封装，具有紧凑的尺寸和优良的热稳定性，适用于高密度印刷电路板布局。BZX84C3V9-7的标称齐纳电压为3.9V，在规定的测试电流下能够提供稳定的电压箝位性能，确保在各种工作条件下保持良好的电压调节能力。该器件符合RoHS指令要求，并具备无卤素（Halogen-free）和符合AEC-Q101标准的可靠性等级，广泛应用于便携式电子设备、电源管理模块、模拟信号调理电路以及过压保护场合。其低动态电阻和快速响应特性使其能够在瞬态电压事件中有效保护敏感电子元件。此外，BZX84C系列采用先进的玻璃钝化PN结工艺，提高了器件的长期稳定性和环境耐受性。BZX84C3V9-7通常用于替代传统的通孔式齐纳二极管，在现代自动化贴片生产中具有更高的装配效率和一致性。
型号：BZX84C3V9-7
封装类型：SOD-323 (SC-90)
齐纳电压（Vz）：3.9V @ Iz = 5mA
容差：±5%
最大耗散功率：500mW
测试电流（Iz）：5mA
最大反向漏电流（Ir）：1μA @ VR = 1V
动态阻抗（Zzt）：100Ω max @ Iz = 5mA
温度系数：+6mV/°C typical
工作结温范围：-65°C 至 +150°C
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
BZX84C3V9-7具备出色的电压稳定性和温度特性，能够在宽温度范围内提供可靠的电压参考功能。其核心特性之一是低动态阻抗，典型值在5mA测试电流下不超过100Ω，这使得它在负载变化或输入电压波动时仍能维持输出电压的稳定性。该器件采用优化的半导体制造工艺，实现了精确的电压容差控制，标准偏差为±5%，满足大多数精密模拟电路的需求。由于采用了SOD-323微型封装，BZX84C3V9-7具有极小的占板面积（约1.7mm x 1.3mm），非常适合空间受限的应用场景，如智能手机、可穿戴设备和物联网传感器节点。
该齐纳二极管具有良好的热性能，能够在高达150°C的结温下持续工作，同时具备较低的热阻特性，有助于热量的有效散发。其正温度系数约为+6mV/°C，在实际应用中可以通过与具有负温度系数的元件（如双极型晶体管的基射结）进行补偿匹配，从而实现接近零温度漂移的基准电压源设计。此外，BZX84C3V9-7在低电流区域仍能保持较陡峭的击穿特性，即使在微安级偏置电流下也能提供有效的过压保护，适用于电池供电系统中的节能设计。
该器件还具备优异的长期稳定性，经过高温反向偏置（HIRB）和高温存储寿命（HTRB）测试验证，确保在恶劣环境下长期运行不失效。其玻璃钝化工艺增强了PN结表面的绝缘性能，显著降低了表面漏电风险，提升了在潮湿或污染环境下的可靠性。所有批次均经过100%的电气测试，保证出厂一致性。BZX84C3V9-7支持回流焊和波峰焊等多种表面贴装工艺，兼容JEDEC MS-012标准，适合大规模自动化生产。
BZX84C3V9-7广泛应用于各类需要稳定电压参考或过压保护的电子电路中。常见用途包括作为低压模拟电路中的基准电压源，特别是在ADC或DAC的参考输入端提供稳定的偏置电压。在电源管理系统中，它可用于LDO稳压器的反馈网络，帮助设定输出电压值。此外，该器件也常被用作ESD保护元件或信号线上的瞬态电压抑制器，防止因静电放电或开关噪声引起的损坏。在传感器接口电路中，BZX84C3V9-7可用于偏置放大器或调理电路，确保信号链的稳定性。
在消费类电子产品如手机、平板电脑和音频设备中，该齐纳二极管用于保护I/O端口和USB接口免受异常电压冲击。工业控制系统中，它可作为PLC模块或数据采集系统的输入保护元件。汽车电子领域，得益于其符合AEC-Q101标准，BZX84C3V9-7可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块和传感器供电单元中，提供可靠的电压箝位功能。此外，在便携式医疗设备和无线通信模块中，该器件因其小尺寸和低功耗特性而备受青睐。
在设计低功耗待机电路时，BZX84C3V9-7可用作电压检测阈值设定元件，配合比较器实现电池电量监测或自动关断功能。其稳定的击穿电压特性也使其适用于振荡器电路中的电平钳位，或在逻辑电平转换器中限制信号幅度，防止后级电路过驱动。总之，凭借其高可靠性、小体积和良好电气性能，BZX84C3V9-7成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。
MMBZ5228BLT1G
PZM3.9
SZBZT52C3V9
