BZX84C33T/R 时间：2025/8/14 12:38:36 阅读：21

BZX84C33T/R 是一款由 Diodes 公司生产的表面贴装（SOT23 封装）齐纳二极管（稳压二极管）。该器件主要用于电压参考和稳压应用，具有精确的击穿电压和良好的温度稳定性。其额定功率为 300mW，适合用于低功耗、高稳定性的电路设计中。该型号中的 '33' 表示其标称齐纳电压为 3.3V，适用于数字电路中的参考电压源、电源监控和保护电路等场景。

参数

齐纳电压 Vz：3.3V
　　容差：±5%
　　功率：300mW
　　封装：SOT23
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　最大反向电流 Izt：5mA
　　动态阻抗 Zzt：400Ω
　　漏电流 Ir：100nA @ Vr=1V

特性

BZX84C33T/R 齐纳二极管具备出色的电压稳定性，能够在广泛的温度范围内保持稳定的击穿电压。其 SOT23 小型封装形式适合用于高密度 PCB 设计，节省空间的同时提供良好的热性能。该器件采用硅半导体技术制造，具有低噪声和快速响应特性，适用于模拟和数字电路中的稳压需求。
　　此外，BZX84C33T/R 的 ±5% 电压容差确保了在多种工作条件下都能提供可靠的参考电压，适用于电池供电设备、便携式电子产品和嵌入式控制系统。其低动态阻抗（Zzt = 400Ω）有助于减少负载变化对输出电压的影响，提高系统稳定性。
　　该器件还具有较低的漏电流（Ir = 100nA @ Vr=1V），在非导通状态下对电路的功耗影响极小，适用于节能型应用。其最大反向工作电流为 5mA，在设计时应确保使用适当的限流电阻以避免损坏器件。

应用

BZX84C33T/R 主要应用于需要稳定参考电压的电子系统中，例如微控制器的电压监测电路、电源管理模块、电池充电器和稳压电路。它也常用于信号调节电路中，为运算放大器或比较器提供基准电压。此外，该器件还可用于电压钳位和静电放电（ESD）保护电路中，保护敏感的电子元件免受电压尖峰的影响。
　　在工业控制、消费类电子和通信设备中，BZX84C33T/R 被广泛用作 3.3V 逻辑系统的参考源，适用于如 3.3V 电源稳压、ADC/DAC 基准电压、接口电平转换等场景。由于其良好的温度稳定性和可靠性，该器件也适用于汽车电子和医疗设备等对稳定性要求较高的场合。