时间：2025/11/8 5:29:28
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BZX84C15VLT116是一款由ON Semiconductor生产的表面贴装齐纳二极管，属于BZX84系列。该器件采用SOD-323封装，具有小尺寸、高稳定性和可靠的电压调节性能，适用于需要紧凑设计和精确电压参考的电子电路中。其标称齐纳电压为15V，在规定的测试电流下能够提供稳定的反向击穿电压，确保系统中的电压箝位、过压保护或基准电压功能正常运作。该器件广泛应用于便携式设备、电源管理模块、信号调理电路以及各种消费类电子产品中。由于采用了先进的制造工艺，BZX84C15VLT116具备良好的温度稳定性和长期可靠性，并符合RoHS环保标准，适合无铅焊接工艺。
BZX84C15VLT116的设计注重功耗与热性能之间的平衡，最大功率耗散为250mW（在适当PCB布局条件下），可承受一定的连续反向电流而不会损坏。其低动态电阻特性有助于维持输出电压的稳定性，即使在输入电压波动或负载变化的情况下也能有效工作。此外，该器件具有快速响应能力，能够在瞬态过压事件发生时迅速导通，将多余能量泄放到地，从而保护下游敏感元件。总体而言，BZX84C15VLT116是一款性价比高、应用灵活的稳压解决方案，特别适合空间受限但对电气性能有一定要求的应用场景。
器件类型：齐纳二极管
极性：单路齐纳
标称齐纳电压：15 V
容差：±5%
测试电流：200 μA
最大功率耗散：250 mW
封装/外壳：SOD-323
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
最大反向漏电流：1 μA @ 12 V
动态阻抗：80 Ω @ 1 mA
热阻：500°C/W（结至环境）
安装类型：表面贴装
BZX84C15VLT116的电气特性经过优化，能够在低电流条件下实现稳定的电压调节功能。其标称齐纳电压为15V，在200μA的测试电流下进行测量，保证了在微功耗应用中的精度和一致性。±5%的电压容差意味着实际击穿电压范围在14.25V至15.75V之间，这一精度水平足以满足大多数模拟和数字电路中的电压参考需求。该器件在低电流区域表现出较低的动态阻抗，典型值为80Ω（在1mA条件下测得），这有助于减少因电流波动引起的电压变化，提高系统的整体稳定性。
该齐纳二极管采用SOD-323小型化封装，尺寸仅为1.7mm x 1.25mm x 0.95mm，非常适合高密度PCB布局，尤其适用于智能手机、可穿戴设备、物联网节点等对空间极为敏感的产品。尽管体积小巧，但其最大功率耗散可达250mW，前提是具备适当的散热路径，例如通过大面积敷铜连接焊盘以增强热传导。这种设计允许它在短时过载或持续轻载工况下可靠运行。
器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，表明其不仅适用于常规工业环境，也能在极端温度条件下保持性能稳定。热阻θJA约为500°C/W，说明其自身散热能力有限，需依赖PCB设计来辅助降温。在高温环境下使用时，应降额操作以避免超过最大结温限制。
此外，BZX84C15VLT116具有极低的反向漏电流，在12V偏置下典型值仅为1μA，这意味着在未达到击穿电压前几乎不消耗电流，有利于提升能效，特别是在电池供电系统中尤为重要。该器件还具备良好的长期稳定性，老化效应小，能够在多年运行后仍保持初始电压特性的准确性。综合来看，这些特性使其成为精密电压参考、电平转换、ESD保护和电源监控等应用的理想选择。
BZX84C15VLT116常用于需要稳定15V参考电压或过压保护的电路中。典型应用场景包括电源电压监测电路，其中该齐纳二极管作为阈值检测元件，当主电源电压超过15V时触发保护机制；也可用作低压直流系统的电压箝位器件，防止瞬态浪涌或反接导致后级IC损坏。在信号调理电路中，它可以用来限制输入信号幅度，确保进入ADC或运算放大器的电压不超过安全范围。
在便携式电子设备如智能手表、蓝牙耳机和健康监测设备中，该器件可用于构建微型稳压网络，为传感器或MCU提供局部稳压支持。由于其低功耗特性，即使在待机模式下也不会显著增加系统能耗。此外，在通信接口（如I2C、UART）的线路保护设计中，BZX84C15VLT116可与其他TVS二极管配合使用，抑制感应静电放电（ESD）脉冲，提升系统抗干扰能力。
工业控制领域中，该器件可用于PLC模块、数据采集单元或远程终端单元（RTU）中的辅助电源稳压环节。在汽车电子非驱动部分（如车载信息娱乐系统、车内传感器模块）中，也可用于次级电源轨的简单稳压方案，尤其是在成本和空间受限的设计中更具优势。总之，凡是需要小型化、低功耗且具备基本稳压功能的场合，BZX84C15VLT116都是一种实用且经济的选择。
MMBZ5245BLT1G
PZM15,213
SZBZX84-C15,215
ZMM15
5.0SMA5245A
