类型：齐纳二极管
　　稳压电压：13V
　　容差：±2%
　　最大耗散功率：300mW
　　封装形式：SOT-23
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　最大正向电流：100mA
　　最大反向漏电流：100nA（在额定电压下）

BZX84C13 Y3 齐纳二极管具有良好的稳定性和低动态阻抗，使其在各种稳压和参考电压应用中表现出色。其SOT-23封装设计非常适合空间受限的电路板布局，并且具有良好的热稳定性和机械强度。该器件的齐纳电压具有较高的精度（±2%），适用于对电压精度要求较高的场合。此外，BZX84C13 Y3 的低功耗特性使其在电池供电设备中具有良好的能效表现。
　　该齐纳二极管的工作原理基于反向击穿特性，在规定的电流范围内能保持稳定的电压。其动态阻抗较低，有助于减少负载变化对输出电压的影响。BZX84C13 Y3 的额定功率为300mW，能够在较宽的温度范围内保持稳定性能（-55°C至+150°C），适用于工业级和汽车电子应用。由于其反向漏电流较低（通常小于100nA），在低功耗和高阻抗电路中表现出色。

BZX84C13 Y3 常用于电源管理、电压参考、过压保护、信号调节等电路中。典型应用包括：作为运算放大器的参考电压源、微控制器系统的电压检测电路、电池充电器的电压限制保护、以及模拟电路中的稳压节点。由于其良好的稳定性和精度，也常用于测量仪器和传感器电路中的基准电压源。

BZX84C13 Y3 可以使用 BZX84C13-7-F（来自Diodes Inc）或 MMSZ4681T1G（ON Semiconductor）作为替代型号。这些型号具有相似的电气特性和封装形式，但使用时仍需参考具体数据手册以确保兼容性。