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BZX84C12TA 发布时间 时间:2025/12/28 11:03:08 查看 阅读:15

BZX84C12TA是一款表面贴装的齐纳(Zener)二极管,属于BZX84系列,广泛应用于电压参考、稳压和过压保护电路中。该器件采用SOD-123封装,体积小巧,适合高密度PCB布局,特别适用于便携式电子设备和空间受限的应用场景。BZX84C12TA的标称齐纳电压为12V,能够在规定的电流范围内提供稳定的反向击穿电压,确保系统电压的精确控制。该器件由ON Semiconductor等知名半导体制造商生产,具有良好的温度稳定性和长期可靠性。其设计符合工业标准,满足无铅(RoHS兼容)环保要求,适用于消费电子、工业控制、通信设备和电源管理等多种领域。作为一款通用型齐纳二极管,BZX84C12TA在小功率稳压应用中表现出色,尤其适合用于信号电平钳位、基准电压源以及ESD保护电路中。
  该器件的工作原理基于PN结的反向击穿特性,在反向偏置条件下,当电压达到其额定齐纳电压(12V)时,电流迅速上升,而电压保持基本恒定。这种特性使其能够有效稳定负载两端的电压,防止因电源波动或瞬态干扰导致的电路异常。此外,BZX84C12TA具有较低的动态电阻,有助于提高电压调节精度,并减少输出电压随电流变化的波动。其SOD-123封装不仅节省空间,还具备良好的热传导性能,可在较宽的环境温度范围内稳定工作。

参数

类型:齐纳二极管
  封装:SOD-123
  极性:单齐纳
  标称齐纳电压:12V
  容差:±5%
  测试电流:5mA
  最大齐纳阻抗:45Ω
  最大功耗:250mW
  工作温度范围:-65°C ~ +150°C
  存储温度范围:-65°C ~ +150°C
  反向漏电流:最大0.1μA @ 9.6V

特性

BZX84C12TA具备优异的电压稳定性和温度特性,能够在宽温度范围内保持稳定的齐纳电压输出。其电压容差为±5%,在测试电流为5mA的条件下,能够提供精确且可重复的12V稳压性能,适用于对电压精度有一定要求的应用场景。该器件的动态阻抗较低,典型值在45Ω以下,这意味着在负载电流变化时,输出电压的波动较小,从而提高了系统的稳定性与可靠性。低动态阻抗也意味着该器件在用作电压参考时能提供更高的精度,减少因电流波动引起的误差。
  该齐纳二极管采用SOD-123小型表面贴装封装,尺寸紧凑,典型尺寸约为2.7mm x 1.8mm x 1.1mm,非常适合自动化贴片生产和高密度电路板设计。其封装结构具备良好的机械强度和热性能,能够在回流焊工艺中稳定可靠地焊接,同时有效散发工作过程中产生的热量。BZX84C12TA的最大功耗为250mW,在适当的散热条件下可长时间稳定运行。该器件的反向漏电流极低,在未达到击穿电压前几乎不导通,这有助于降低待机功耗,提升能效表现。
  在温度适应性方面,BZX84C12TA可在-65°C至+150°C的极端温度范围内正常工作,适用于工业级和汽车级应用环境。其内部材料和制造工艺经过优化,具备良好的抗老化性能和长期稳定性,即使在高温高湿环境下也能维持可靠的电气特性。此外,该器件符合RoHS环保标准,不含铅、镉等有害物质,支持绿色环保生产。其高可靠性与一致性使其成为众多电子设计中的首选稳压元件。

应用

BZX84C12TA广泛应用于各类电子设备中,主要用于电压参考、稳压和过压保护功能。在电源管理系统中,它常被用作低压直流电源的简单稳压方案,尤其适用于电流较小、成本敏感的设计场景。例如,在微控制器单元(MCU)的供电引脚旁,可使用该器件进行电压钳位,防止瞬态高压损坏敏感逻辑电路。在模拟电路中,BZX84C12TA可作为基准电压源,为比较器、运算放大器等提供稳定的参考电平,确保信号处理的准确性。
  在通信接口保护方面,该器件可用于RS-232、I2C、USB等信号线的ESD防护,利用其快速响应的击穿特性吸收静电放电能量,保护后级集成电路免受损害。在传感器信号调理电路中,BZX84C12TA可用于限制输入电压范围,防止因外部干扰或接线错误导致的过压故障。此外,它也常见于电池供电设备中,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等,用于电池电压监测或充电管理模块中的电平检测。
  在工业控制和自动化系统中,该器件可用于PLC输入模块的信号限幅,确保现场信号在安全范围内进入控制系统。由于其小型化封装和高可靠性,BZX84C12TA也适用于汽车电子中的辅助电源稳压、车载传感器接口保护等应用场景。总之,凡需要低成本、小体积、稳定电压参考或简单稳压功能的地方,BZX84C12TA都是一个理想的选择。

替代型号

MMBZ5231BLT1G
  PMBZ5231B,115
  SZMM3Z12B-GS08
  BZX84-C12

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BZX84C12TA参数

  • 制造商Diodes Inc.
  • 齐纳电压12 V
  • 电压容差5 %
  • 电压温度系数8 mV / C
  • 功率耗散350 mW
  • 最大反向漏泄电流0.1 uA
  • 最大齐纳阻抗25 Ohms
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SOT-23
  • 封装Reel
  • 最小工作温度- 65 C