BZX84C12-T1 是一款由 Diodes Incorporated 生产的表面贴装齐纳二极管(Zener Diode),属于 BZX84 系列。该系列齐纳二极管以其高精度、低动态阻抗和稳定的电压调节性能而广泛应用于各种电子设备中。BZX84C12-T1 的齐纳电压为 12V,适用于需要电压参考或稳压功能的电路中。其封装形式为 SOT-23,便于在 PCB 上安装,适合空间受限的应用。
类型:齐纳二极管
齐纳电压:12V
容差:±5%
最大功耗:300mW
最大齐纳电流:200mA
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:SOT-23
动态阻抗(Zzt):约 80Ω(典型值)
漏电流(IR):在 VR 下最大 100nA
BZX84C12-T1 齐纳二极管具有多项优异特性,使其适用于多种电压调节和参考应用。首先,其齐纳电压精度高,容差为 ±5%,能够提供较为精确的电压参考点,适用于对电压精度有一定要求的电路设计。其次,该器件的动态阻抗较低,典型值约为 80Ω,有助于在负载变化时保持输出电压的稳定性,从而提高电路的可靠性。
此外,BZX84C12-T1 的最大功耗为 300mW,能够在一定的电流范围内提供稳定的电压调节性能,适合中低功率应用。其最大齐纳电流为 200mA,用户在设计电路时需要确保工作电流在其额定范围内,以避免器件过热或损坏。
该器件的封装形式为 SOT-23,是一种常见的表面贴装封装,具有体积小、重量轻和易于焊接的特点,适用于自动化生产流程。工作温度范围为 -55°C 至 150°C,确保其在恶劣环境条件下仍能正常工作,适用于工业控制、汽车电子、消费电子等多种应用场景。
漏电流方面,BZX84C12-T1 在反向电压低于齐纳击穿电压时,漏电流最大为 100nA,保证在低电压条件下对电路的干扰较小,适合高精度模拟电路和低功耗设计。
BZX84C12-T1 主要用于需要电压参考或稳压功能的电路中。其典型应用包括电源管理电路中的电压参考源、模拟电路中的偏置电压设置、电池供电设备中的电压调节以及各种电子系统的过压保护电路。此外,它还可用于电压检测、信号调理和数据转换电路中的基准电压源,以提高系统的精度和稳定性。在汽车电子系统中,该器件可用于车载电源管理、传感器信号调理和车载娱乐系统的稳压电路中。
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