BZX84C11 T/R 时间：2025/8/15 1:58:14 阅读：14

BZX84C11 T/R 是一款由Nexperia（原Philips Semiconductors）制造的小型表面贴装齐纳二极管，采用SOT-23（TO-236AB）封装。该器件具有11V的标称齐纳电压，适用于需要精确电压参考或稳压功能的电子电路。T/R表示该元件以卷带（Tape and Reel）形式供应，适用于自动化贴片生产线。齐纳二极管是一种利用反向击穿电压特性来实现稳压功能的半导体器件，广泛用于电源、调节电路和保护电路中。

参数

类型：齐纳二极管
　　最大耗散功率：300mW
　　齐纳电压（Vz）：11V（在测试电流Iz=5mA时）
　　测试电流（Iz）：5mA
　　最大齐纳阻抗（Zz）：25Ω
　　最大反向漏电流（Ir）：100nA（在VR=8.2V时）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23（TO-236AB）

特性

BZX84C11 T/R 具备多项优异的电气和物理特性，使其适用于各种电子系统中的稳压和参考电压应用。
　　首先，该齐纳二极管的标称齐纳电压为11V，在测试电流为5mA时具有良好的电压稳定性，能够提供可靠的参考电压源。齐纳电压的容差较小，通常为±5%或更小，从而确保在精密电路中的应用精度。
　　其次，该器件的最大耗散功率为300mW，能够在有限的封装尺寸下承受一定的功率负载，适合用于低功耗设计和小型化电路中。SOT-23封装具有良好的热性能和机械稳定性，便于表面贴装和自动化生产。
　　此外，BZX84C11 T/R 在反向漏电流方面表现出色，其最大反向漏电流仅为100nA（在VR=8.2V时），有效减少了在非击穿状态下的能量损耗，提高了系统的整体效率。该器件的齐纳阻抗较低（最大25Ω），有助于在负载变化时维持较为稳定的输出电压，提升电路的稳压性能。
　　最后，BZX84C11 T/R 的工作温度范围为-55°C至+150°C，能够在恶劣环境条件下保持稳定工作，适用于工业控制、汽车电子、通信设备等对可靠性要求较高的应用场景。

应用

BZX84C11 T/R 主要应用于需要稳定电压参考或限压保护的电子电路中。例如，在电源管理系统中，它可以用作参考电压源，为电压调节器、ADC/DAC转换器等提供稳定的基准电压；在信号处理电路中，它可以用于限制信号幅度，防止因过压导致的器件损坏；在电池供电设备中，该齐纳二极管可用于监测电池电压或实现低功耗稳压功能。
　　此外，BZX84C11 T/R 也常用于各类传感器电路、模拟比较器电路、过压保护电路以及嵌入式系统中的电压参考源。由于其SOT-23封装体积小巧，特别适合高密度PCB布局和便携式电子产品设计。