时间：2025/12/26 8:36:06
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BZX84C10-7-F是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装齐纳二极管，属于BZX84系列的小信号齐纳二极管产品之一。该器件采用SOD-323封装（也称为SC-76或SC-90），具有体积小、功耗低、响应速度快等特点，适用于各种需要电压基准、过压保护或电平钳位的电子电路中。BZX84C10-7-F的标称齐纳电压为10V，在测试电流条件下能够提供稳定的反向击穿电压。其命名规则中，“BZX84”代表系列名称，“C10”表示齐纳电压值为10V，“-7”通常指卷带包装，“-F”则代表制造厂商的特定代码或环保等级。该器件符合RoHS指令要求，是无铅（Pb-free）产品，适合自动化贴片生产流程。由于其良好的稳定性和可靠性，BZX84C10-7-F被广泛应用于便携式设备、电源管理单元、模拟信号调理电路以及数字逻辑接口保护等场景。
型号：BZX84C10-7-F
封装类型：SOD-323 (SC-76)
齐纳电压(VZ)：10V @ IZT=5mA
容差：±5%
最大耗散功率：200mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
温度系数：+5.5 mV/°C (典型值)
动态电阻(Zzt)：50Ω (最大值 @ 1kHz)
反向漏电流(IR)：1μA (最大值 @ VR=8V)
测试电流(IZT)：5mA
BZX84C10-7-F具备优异的电压稳定性和温度特性，能够在宽温度范围内保持可靠的齐纳击穿性能。其核心特性之一是在额定测试电流5mA下提供精确的10V齐纳电压，并且电压容差控制在±5%以内，确保了在精密参考电压应用中的准确性。该器件的动态阻抗较低，典型值在50Ω以下，这有助于减少因负载变化引起的输出电压波动，从而提高系统的稳定性。此外，BZX84C10-7-F具有正温度系数，约为+5.5mV/°C，在高温环境下齐纳电压略有上升，这一特性可通过外部电路设计进行补偿或利用。器件的最大连续功耗为200mW，结合SOD-323小型封装，使其非常适合空间受限的应用场合。热阻方面，从结到环境的热阻（RθJA）约为625°C/W，因此在高环境温度下需注意散热设计以避免过热导致参数漂移或损坏。该齐纳二极管还表现出较低的反向漏电流，在低于击穿电压的工作条件下（如8V时），漏电流不超过1μA，有利于降低待机功耗并提升系统能效。SOD-323封装不仅节省PCB面积，而且具有良好的机械强度和焊接可靠性，支持回流焊和波峰焊工艺。整体而言，BZX84C10-7-F以其紧凑尺寸、稳定电气性能和高可靠性，成为现代电子设备中实现电压箝位、噪声抑制和基准源构建的理想选择。
BZX84C10-7-F在实际应用中展现出良好的瞬态响应能力，能够快速响应输入电压的突变，有效防止下游电路受到过高电压冲击。其结构采用扩散型PN结工艺，确保了齐纳击穿机制的可重复性和长期稳定性。器件经过严格的筛选和测试，保证批次一致性，适用于工业级和消费类电子产品。同时，由于其无铅环保设计，符合现代绿色制造标准，适用于出口型产品和对环保有严格要求的应用领域。
BZX84C10-7-F常用于需要10V稳压参考的各种模拟与混合信号电路中，例如作为运算放大器的偏置电压源、ADC/DAC的参考电压调节、传感器信号调理模块中的电平校准元件。在电源管理系统中，它可用于低压直流电源的过压保护，通过并联方式将超出10V的电压泄放到地，保护敏感器件免受损坏。此外，在通信接口电路（如RS-232、I2C总线）中，该齐纳二极管可与限流电阻配合构成简单的ESD保护网络，吸收瞬态高压脉冲，增强系统的电磁兼容性（EMC）。在电池供电设备中，BZX84C10-7-F可用于监测电池电压或实现简单的电压检测功能，当电压超过设定阈值时触发控制逻辑。其小型化封装也使其广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式电子产品中，执行信号电平转换或噪声滤波任务。在嵌入式控制系统中，它可以作为微控制器IO口的电压钳位元件，防止因外部干扰或接线错误导致引脚电压超标而造成芯片损坏。另外，在开关电源反馈回路中，虽然不作为主反馈元件使用，但可作为辅助稳压环节提供额外保护。总之，凭借其稳定的电气性能和紧凑的物理尺寸，BZX84C10-7-F在消费电子、工业控制、汽车电子及通信设备等多个领域均有广泛应用前景。
MMBZ5240BLT1G
PZM10B,215
SZBZT52C10-7-F
BZX84-C10
