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BZX84B18-7-F 发布时间 时间:2025/12/26 11:15:46 查看 阅读:18

BZX84B18-7-F是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装稳压二极管(齐纳二极管),属于BZX84系列。该器件采用SOD-323小型化封装,具有体积小、可靠性高和热稳定性好的特点,适用于需要精密电压参考或电路保护的便携式电子设备中。其标称稳压值为18V,在规定的测试电流下能够提供稳定的反向击穿电压,确保负载端电压不会超过设定阈值。该器件广泛应用于电源管理、信号调理、过压保护以及各类消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和工业控制模块等。BZX84B18-7-F符合RoHS环保标准,并具备良好的高温工作性能,能够在较宽的环境温度范围内稳定运行。由于其低功耗特性和紧凑型封装,非常适合用于空间受限的高密度PCB布局设计。此外,该器件具有较低的动态阻抗和快速响应能力,能有效抑制瞬态电压波动,提升系统整体的电气稳定性与安全性。
  BZX84B18-7-F中的“B”表示齐纳电压容差为±2%,“18”代表标称稳压值为18V,“-7-F”通常指产品编号与包装形式(如卷带包装),便于自动化贴片生产。这款器件在正常使用条件下表现出优异的长期电压稳定性和低漏电流特性,是现代电子电路中实现电压钳位和基准电压生成的理想选择之一。

参数

类型:齐纳二极管
  封装:SOD-323
  标称齐纳电压:18V
  齐纳电压容差:±2%
  测试电流 (IZT):5mA
  最大齐纳阻抗 (Zzt):40Ω
  最大反向漏电流 (IR):1μA
  功率耗散:500mW
  工作结温范围:-65°C 至 +150°C
  极性:单路齐纳二极管

特性

BZX84B18-7-F具备出色的电压调节精度和热稳定性,其±2%的齐纳电压容差保证了在批量应用中的一致性与可靠性,适用于对电压基准要求较高的模拟和数字混合信号系统。该器件在5mA的标准测试电流下呈现出稳定的18V击穿电压,且动态阻抗低至40Ω,意味着在负载变化时仍能维持较小的输出电压波动,从而提高系统的抗干扰能力。SOD-323封装不仅节省PCB空间,还优化了热传导路径,使得即使在高环境温度下也能有效散热,延长器件寿命。该封装符合JEDEC标准,支持全自动贴片工艺,提升了生产效率并降低了制造成本。
  该齐纳二极管具有极低的反向漏电流,在未达到击穿电压前几乎不导通,有助于减少待机状态下的功耗,特别适合电池供电设备。同时,其高达150°C的最大结温允许其在恶劣环境下持续运行,增强了产品的环境适应性。BZX84B18-7-F还具备良好的瞬态响应能力,可用于吸收短暂的电压尖峰,防止敏感元件受损,常被用作ESD保护或浪涌抑制的一部分。此外,该器件经过严格的老化筛选和可靠性验证,具备长寿命和高失效门槛,满足工业级和汽车电子的部分应用需求。其材料结构采用先进的硅扩散工艺,确保PN结均匀性和重复性,进一步提升了批次一致性与长期稳定性。综合来看,BZX84B18-7-F是一款高性能、小尺寸、高可靠性的稳压二极管,适用于多种精密稳压与保护场景。

应用

BZX84B18-7-F广泛应用于各类需要稳定参考电压或过压保护的电子电路中。常见用途包括电源轨的电压钳位,例如在18V供电系统中作为稳压元件,防止因输入波动导致后级IC损坏;也可用于运算放大器或ADC/DAC电路中的偏置电压设定,提供精确的基准电平。在接口保护方面,该器件常与TVS管配合使用,构成多级防护网络,用于USB、GPIO、I2C等信号线的静电放电(ESD)防护,限制瞬态高压对主控芯片的影响。此外,它还可用于反馈回路中的电压检测点,辅助实现开关电源的闭环调节功能。
  在消费类电子产品中,如手机充电管理模块、蓝牙耳机电源管理单元、智能手表的传感器供电电路中,BZX84B18-7-F因其小型化封装和低功耗特性而备受青睐。在工业控制领域,该器件可用于PLC输入模块的信号整形与限幅,保障数字输入信号的完整性。在汽车电子中,尽管不属于AEC-Q101认证器件,但仍可用于非关键性的辅助电路稳压,如车内娱乐系统的电压监控单元。此外,该器件也适用于测试测量仪器、数据采集系统和嵌入式控制系统中,作为可靠的电压参考源或保护元件。由于其响应速度快、体积小、成本低,已成为众多工程师在电路设计中常用的标准化元器件之一。

替代型号

MMSZ5248BT1G
  PZM18
  SZBZT52B18-7-F
  BZX84-C18

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BZX84B18-7-F参数

  • 现有数量23,277现货51,000Factory
  • 价格1 : ¥1.59000剪切带(CT)3,000 : ¥0.27562卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz)18 V
  • 容差±2%
  • 功率 - 最大值300 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt)45 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏100 nA @ 12.6 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)900 mV @ 10 mA
  • 工作温度-65°C ~ 150°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装SOT-23-3