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BZX79-C12,113 发布时间 时间:2025/9/14 14:15:19 查看 阅读:4

BZX79-C12,113 是一款由 Nexperia(原 Philips Semiconductor)制造的齐纳二极管(Zener Diode),属于标准的 BZX79 系列。该器件的标称齐纳电压为 12V,在测试电流(通常为 5mA)下能够提供稳定的电压参考。齐纳二极管广泛用于电压调节、稳压电路、电压参考源以及过压保护电路中。该器件采用常见的 DO-35(玻璃封装)封装形式,适用于通孔安装(Through-Hole),具备良好的热稳定性和可靠性。

参数

类型:齐纳二极管
  标称齐纳电压:12V
  最大耗散功率:300mW
  测试电流:5mA
  齐纳阻抗(Zzt):最大 10Ω
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:DO-35
  极性:单向齐纳
  最大反向漏电流(@ Vr < Vz):100nA(典型值)
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

BZX79-C12,113 齐纳二极管具备多项优良的电气和物理特性。首先,其齐纳电压在 5mA 测试电流下保持稳定,具有良好的电压调节性能。该器件的齐纳阻抗较低,通常不超过 10Ω,有助于在负载变化时维持稳定的输出电压,从而提高电路的稳压效果。
  其次,BZX79-C12,113 采用玻璃钝化工艺,确保其在高温环境下仍具有良好的稳定性,工作温度范围可达 -55°C 至 +150°C,适用于工业级和汽车电子等对温度要求较高的应用场景。此外,该器件的最大功耗为 300mW,能够在有限的散热条件下正常工作,适合嵌入在小型电路板或紧凑型电子设备中。
  其 DO-35 封装形式具有良好的机械强度和电气隔离性能,便于手工焊接和自动化装配。该封装也具备良好的热传导性能,有助于器件在高功率工作时保持稳定。此外,该器件的反向漏电流非常低(典型值为 100nA),在低于齐纳击穿电压的条件下,几乎不会产生显著的电流泄漏,适用于对功耗和精度要求较高的电路。
  从制造工艺来看,BZX79-C12,113 经过严格的质量控制,符合 RoHS 和 REACH 环保标准,适合在环保要求较高的电子产品中使用。其广泛应用于电源管理、信号调节、电压参考源、过压保护等多种电路中,是电子设计中非常常用的标准元件之一。

应用

BZX79-C12,113 主要用于需要稳定电压参考的电子电路中。例如,在电源管理系统中,它可以作为基准电压源,为比较器、运算放大器或 ADC/DAC 提供稳定的参考电压。在稳压电路中,该器件常与晶体管或稳压 IC 配合使用,实现简单而可靠的稳压功能。
  在工业自动化和测量设备中,BZX79-C12,113 可用于信号调节电路,如电压限幅、电平转换和电压监测等。此外,在汽车电子系统中,该器件可用于保护敏感的电子元件免受瞬态电压波动的影响,提高系统的稳定性和可靠性。
  该器件也适用于过压保护电路,作为钳位二极管来限制电路中的电压波动,保护后续电路免受损坏。在消费类电子产品中,如音响设备、LED 驱动电路和传感器模块中,BZX79-C12,113 也被广泛使用,提供经济而高效的稳压解决方案。

替代型号

BZX79-C12,115; BZX84-C12; 1N4742A; BZV49-C12; MMSZ4742T1G

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BZX79-C12,113参数

  • 标准包装10,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)12V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电100nA @ 8V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大400mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)25 欧姆
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳DO-204AH,DO-35,轴向
  • 供应商设备封装ALF2
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-65°C ~ 200°C