类型：齐纳二极管
　　工作电压：10V
　　最大耗散功率：300mW
　　封装类型：SOD123
　　最大齐纳电流：100mA
　　最大反向漏电流：100nA @ VR=8V
　　齐纳阻抗：500Ω

BZX784C10 齐纳二极管具有以下主要特性：
　　首先，其额定齐纳电压为10V，适用于各种基准电压和稳压电路设计。该器件的电压容差通常为±5%，确保了在不同工作条件下的电压稳定性。
　　其次，BZX784C10 的最大耗散功率为300mW，允许其在相对较高的电流下工作，最大齐纳电流可达100mA。这使其在需要较大负载能力的稳压电路中表现出色。
　　此外，该器件采用SOD123封装，体积小且易于表面贴装，非常适合现代电子产品对小型化和高集成度的需求。其封装材料具有良好的热稳定性，有助于器件在各种工作环境下保持可靠运行。
　　在电气特性方面，BZX784C10 在反向偏置条件下具有较低的漏电流（最大100nA @ VR=8V），这有助于减少电路中的静态功耗。同时，其齐纳阻抗为500Ω，保证了良好的动态响应和电压调节能力。
　　最后，BZX784C10 具有良好的温度稳定性，能够在-55°C至+150°C的温度范围内稳定工作，适用于工业级和汽车电子等对环境适应性要求较高的应用场合。

BZX784C10 主要用于各种电子设备中的电压参考和稳压电路。例如，在电源管理模块中，它可用于提供稳定的10V参考电压，以确保系统各部分的正常工作。此外，该器件也广泛应用于信号调节电路、比较器参考源、过压保护电路以及电池管理系统中，以提供精确的电压控制。
　　由于其高稳定性和小尺寸封装，BZX784C10 也适用于便携式电子设备、通信设备、消费类电子产品和工业控制系统等对空间和性能有较高要求的应用场景。

BZX784C10 可以使用以下替代型号：BZX784-C10（NXP）、MMBZ5241B（ON Semiconductor）、1N4740A（Fairchild）、BZV4943（Diodes Inc.）