时间：2025/9/13 20:30:10
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BZX585-B4V3,115 是一款由 Nexperia（原恩智浦半导体的一部分）生产的齐纳二极管（Zener Diode），属于小信号齐纳二极管系列，主要用于电压调节、参考电压生成以及过压保护等应用。该器件采用SOD-123表面贴装封装，具有良好的稳定性和可靠性，适合在消费电子、工业控制、通信设备等多种电子系统中使用。BZX585系列的齐纳电压容差较小，适合对电压精度要求较高的应用场景。
齐纳电压：4.3 V
齐纳电压容差：±2% 或 ±5%
最大齐纳电流：200 mA
最大耗散功率：300 mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOD-123
引脚数：2
反向漏电流（VR）：最大 100 nA（典型值）
齐纳阻抗（Zz）：约 180 Ω（在 IZ = 5 mA）
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
BZX585-B4V3,115 齐纳二极管具备多项优良特性，使其在电压参考和调节应用中表现出色。
首先，该器件的齐纳电压为 4.3V，具有 ±2% 或 ±5% 的容差选项，能够满足不同精度需求，提供稳定的参考电压。其齐纳阻抗（Zz）在 5 mA 测试电流下约为 180Ω，确保了在负载变化时电压的稳定性。其次，BZX585-B4V3,115 的最大齐纳电流为 200 mA，最大功耗为 300 mW，适合中等功率的稳压应用，具备良好的热稳定性和过载能力。
此外，该器件采用 SOD-123 小型表面贴装封装，节省空间且便于自动化生产，适用于高密度 PCB 设计。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于较为严苛的环境条件，如工业控制和车载电子系统。该器件还具有低反向漏电流特性，在额定反向电压下漏电流最大为 100 nA，从而减少了不必要的功耗和干扰。
总体来看，BZX585-B4V3,115 凭借其高精度、良好的温度特性和紧凑的封装形式，成为广泛应用于各类电子设备中的理想电压基准元件。
BZX585-B4V3,115 主要用于需要稳定参考电压的电路中，如电源稳压电路、电压检测电路、过压保护电路等。在消费类电子产品中，该器件可用于电池充电管理、微处理器供电调节等场景；在工业控制系统中，可作为精密测量电路的参考电压源；在通信设备中，可用于电压监测和信号调理电路。此外，该齐纳二极管还可用于LED驱动电路、传感器接口电路以及模拟运算放大器的偏置电压设置等应用场景。
BZX585-C4V3,115; BZX584-B4V3; BZX84-C4V3; 1N4735A; MM5Z4V3
